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标题: 高速闪存控制芯片有助以更低成本开发更高速产品 [打印本页]

作者: 520503 时间: 2013-9-23 20:57 标题: 高速闪存控制芯片有助以更低成本开发更高速产品

关键字：IIC China 2013 USB 3.0 NAND 高速闪存控制芯片
随着多媒体数据传输的日益普及，高清影片和高画质图片等多媒体资料的数据容量早已突破GB级。这样大的数据容量，传统的传输方式往往要花费数分至数十分钟不等。拥有Flash高速储存技术的IC设计公司银灿科技（Innostor）于IIC China 2013展会亮相，展出了其USB 3.0方案芯片IS916，USB 3.0转SATA/PATA方案芯片IS611，以及最新的USB 3.0双通道NAND闪存控制器IS903等产品。

USB 3.0方案芯片IS916具有低成本高性能优势，同时支持最新的TLC闪存。该芯片读、写速率分别达到了97.48MB/s和14.62MB/s。对应的设计可采用广泛使用的USB2.0外壳，节省产品开发的成本和时间。IS916具有以下特点：高效能的独立通道，可支持到4CE（芯片使能）；ECC纠错超过70位/KB；支持Multi-plane；支持8k/16k页的闪存；DDR ONFI/Toggle 1.0；2xnm TLC；2ynm MLC。因此，IS916的产品成本会接近USB2.0 UFD，并且也将逐步取代USB2.0市场。

高速双通道控制芯片IS903是针对新一代制程闪存推出的产品，具有低功耗、更高效能的优点。新制程21nm/20nm/19nm MLC Flash的读速率最高可达240MB/s，写速率可达140MB/s。IS903将新的Flash发挥其最大效能，有助于以更低成本开发更高速产品。该芯片支持最大容量高达256GB，以及1xnm工艺。USB 3.0 COB/UDP U盘产品将原装芯片、软件与控制器焊接在一起，形成可作为独立U盘使用的卡片，可以装在其它U盘外壳，也可以独立作为U盘使用。IS611 USB3.0转SATA/PATA单芯片解决方案则具有快速设备识别，及同时连接三个设备的特点。

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