图1 DC-DC升压型开关电源芯片的整体示意图
主振荡器的设计
图2主振荡器电路辅助振荡器的设计
辅助振荡器电路采用环形振荡器结构,它利用亚阈值导通的原理,使得起振电压降至0. 8 V,但是这个辅助振荡器在0. 8~ 1. 9 V的VDD区间里频率变化很大,会在电路启动阶段造成很大的浪涌电流,造成系统的不稳定。
图3辅助振荡器电路
图3中,M1~ M13是低输入电压偏置电流电路,这个电路的主要功能是在低输入电压下产生一个恒定的纳安级的偏置电流。这一不随电源电压变化的偏置电流将为图3所示的辅助振荡器提供偏置。M8 ~ M13为启动电路,M3、M4都工作在亚阈值区:联立式(1) ~式(4),可以得到:
式中:K = (W/ L ) M4 / ( W/ L ) M3,通过式(5)可以发现,偏置电流I M1 , I M2与输入电源无关。
因为M26管的电流很小,宽长比很大,故:
SE为辅助振荡器切换信号,SEB为SE的反信号。当V DD低于1. 9 V时,SE为高电平,M17 , M18都截止,不影响R, S触发器的翻转,辅助振荡器工作,开关S1断开,S2闭合;当VDD高于1. 9 V时,SE为低电平,辅助振荡器关断,开关S1闭合,S2断开,M17、M18都导通,R=1、S= 0、AU XCLK被锁定为高电平,既减小了功耗,也避免了辅助振荡器关断之后R、S端出现不确定状态。
整体电路在0. 5μm CMOS工艺库( V thN= 0. 72 V,VthP = - 0. 97 V)下仿真,仿真条件为VIN = 0. 8 V,仿真结果如图4所示。从图4可以看出,电路启动后,首先辅助振荡器V( aux clk)起振,V DD逐渐升高,升高至1. 4 V时,主振荡器V( mainclk)起振,但此时只有辅助振荡信号通过开关S2传到功率管的栅极,当VDD升高至1. 9 V时,辅助振荡器关掉,主振荡器信号通过开关S1传到功率管的栅极,VDD继续升高至设定的输出电压3. 3 V以后,由反馈电路控制主振荡器的开启与关断,来维持这一输出电压。
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