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标题: SK海力士开发出超高速存储器速度提升3倍！ [打印本页]

作者: 520503 时间: 2013-12-31 14:05 标题: SK海力士开发出超高速存储器速度提升3倍！

韩国半导体巨头SK海力士26晶宣布，公司已开发出超高速存储器(HBM)。这种超高速存储器的数据处理速度是目前性能最高的处理器速度的4倍，但是电力消耗量却减少了40%.

这种超高速存储器采用了硅通孔技术(TSV,Through -Silicon-Via)。这是是一种通过在芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通,实现芯片之间互连的最新技术。是当今世界上速度最快的DRAM(GDDR5)速度的4倍多。
SK海力士表示，首先将把这种超高速存储器用于图形处理的半导体中，此后公司计划为超级计算机，网络，服务器等产品大量生产这一超高速存储器。
另一方面，三星电子在今年10月公布今年第三季度的业绩时，宣布其获得了硅通孔技术。分析人士预计，三星电子也会很快推出自己的超高速存储器。

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