用此时域中耗电的概念来看,可以快速瞭解到负载开关可以用于隔离连续,但较小的电流消耗。短期间的尖锐脉衝并非是罪魁祸首,如果不隔离,数以百计的uA级电流消耗合计会达到mA的水準。此转换将带来软功率爬升(soft power ramps)的重要性,尤其是当电源被使用到下游IC,来减少在脆弱的mAh电池额定值上所不想要有的大电压尖峰时。
如上所述,此逻辑电平Von使功能介面易于连接至微处理器,但热关断和过电流保护(over current protection,OCP),也能通过Flag引脚而介接良好。此特性并未整合在如FPF1039的最小Intellimax解决方案中,因而我们转而採用FPF2303。此双输出负载开关能够驱动1.3A负载,具有先前提到的所有特性,而且还包含Flag特性和反向电流阻断。Flag是一个漏极开路逻辑电平,能够直接与处理器上的状态引脚相连接。反向电流阻断如传统负载开关图中所示,但需要双MOSFET的方法。快捷半导体的专有方法将此整合到P沟道中,并且在IC内作为一个额外的功能而无需外部元件。假如发生了开关负载侧的电势高于电池侧的状况,则必须具备反向电流阻断特性。这会发生在系统具有多个初始电压相同的电池,或发生在电压尖峰期间。大体积电容器也有提供delta值的倾向。
对于负载开关,经常被忽视的规格就是ESD额定值,因为过去大多数的MOSFET并未将ESD保护整合在内。最近,ESD保护已被加进离散的P沟道MOSFET,它们在其中只是作为具有成本效益的负载开关。这以FET闸极上的背对背齐纳(back to back zener)二极体箝位的形式出现。这增加了闸极的电容量,使它不太可能成为开关应用(马达驱动、电源等等的候选方案,但在增加2K HBM (Human Body Model,人体放电模式)齐纳二极体的情况下,可使闸极更加牢固。Intellimax甚至更进一步,在智慧型FET中整合了ESD结构,可以达到双倍的ESD额定值至4KV HBM。ESD未来还可更进一步的改善。对于医疗应用,ESD是重要的特性,因为线路板在装配室间常常是无包装运送的,以完成在塑胶胶壳以及密封外壳中的佈置。对于与ESD相关失效,每个运送点都有潜在风险,尤其是在引脚和连接器从线路板上连接至电池或中间夹层时。