电子技术论坛_中国专业的电子工程师学习交流社区-中电网技术论坛

标题: HY5PS124:512Mb DDR2 SDRAM [打印本页]

作者: simppyx 时间: 2003-9-30 10:10 标题: HY5PS124:512Mb DDR2 SDRAM

9月16日讯,Hynix半导体公司在2003年秋季的IDF上宣布,它已把512Mb DDR2 SDRAM提交给Intel公司进行评估,它的样品能成功地提升Intel下一代双处理器服务器芯片组称作"Lindenhurst"的代码.Hynix 512Mb DDR2 SDRAM现在可提供样品数量,批量生产将在2004年初.

HY5PS124的配置有128Mbx4,64Mbx8和32Mbx16,工作电压1.8V/2.5V可选择,VDDQ=1.8V+/-0.1V,所有的输入和输出都和SSTL_18接口,完全差分时钟输入,双数据速率接口,每引脚的数据传输速率高达667Mbps,JEDEC标准的60和80引脚FBGA封装,每64ms 8K周期擦新,支持片外驱动器阻抗调整.

欢迎光临电子技术论坛_中国专业的电子工程师学习交流社区-中电网技术论坛 (http://bbs.eccn.com/)