关键字：IGBT 硅基集成电路 CMOS IIC China 2013
致力于CMOS前沿工艺及其它硅基集成电路相关技术研究——中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心，将在IIC China 2013上展示多项集成工艺方案，包括：0.5 um CMOS 集成工艺方案、22 nm CMOS HKMG集成工艺方案、MEMs器件集成工艺方案、特种分立器件的工艺方案等。特色单项工艺有1）电子束：亚28nm线条光刻&刻蚀技术；2）原子层淀积：HfO2、TiN、TaN、Al2O3、SiO2等薄膜材料；3）外延生长：纯Ge，不同组分SiGe外延；4）超低能离子注入：注入能量0.2keV-60keV，剂量及倾斜角度可调；5）化学机械平坦化：SiO2、Si3N4、poly、W；6）低应力氮化硅。
“在CMOS小型化技术的相关领域，国际先进的生产技术将进入16纳米技术代，代工企业的量产技术也会进入22纳米技术代。在所谓的More Than Moore领域，以功率器件为代表的分立器件，如VDMOS，PIN二极管，IGBT，HEMTs等的市场需求越来越大，正在形成一个新的增长点。一些新的应用和电路或器件设计不断出现，带来很多研发工作。这些新应用的单个市场体量不大，但种类繁杂，需要有相应的产业化研发机构来完成。而集成电路先导工艺研发中心的定位就是满足此类需求，推动国内IC领域中小企业的技术创新。”研发中心的赵超主任在接受采访时谈道。
