瑞萨宣布，开发出一种可用于45nm（纳米）节点及以上工艺微处理器和SoC（系统级芯片）产品的高性能和低成本晶体管技术。新开发的技术包括采用P型晶体管金属栅极，以及N型晶体管传统多晶硅栅极的混合结构的高性能CMIS晶体管。它可以在不必改变当前制造工艺的条件下实现，进而降低生产成本。采用新技术制造的带有40nm长度栅极的原型晶体管展现了出众的性能。其620μA/μmN型晶体管的驱动能力，以及360μA/μm的P型晶体管驱动能力都达到了全球最高水平。此外，已确认在可靠性方面例如栅极绝缘体强度没有任何问题，即使是采用新开发的生产工艺流程。