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标题: 赛普拉斯推出一系列16Mb非易失性静态随机存取存储器 [打印本页]

作者: 520503 时间: 2014-5-21 18:12 标题: 赛普拉斯推出一系列16Mb非易失性静态随机存取存储器

关键字：非易失性静态随机存取存储器 nvSRAM NVRAM 赛普拉斯
赛普拉斯半导体公司日前宣布推出一系列16Mb非易失性静态随机存取存储器（nvSRAM），包括具有异步并行和异步开放式NAND闪存接口（ONFI）标准1.0接口的器件.。这一16 Mb nvSRAM系列扩展了赛普拉斯的产品线，以满足高端可编程逻辑控制器（PLC）、存储设备中的高速数据/错误日志记录器、网络设备、航空电子系统以及电子游戏机等关键任务应用的需求。
16 Mb nvSRAM是市场上最快的高容量异步非易失性RAM，存取时间可低至25 ns。赛普拉斯的新器件可选择集成实时时钟（RTC），以便在重要数据日志中标记时间。赛普拉斯的nvSRAM具有无限次读、写和恢复的特点，在85?C的温度下数据可保存20年，65?C下则可以保存150年。赛普拉斯的nvSRAM对于需要连续高速读写数据和绝对非易失性数据安全的应用来说，是非常理想的选择。

赛普拉斯推出一系列16Mb非易失性静态随机存取存储器

赛普拉斯非易失性产品事业部高级总监Rainer Hoehler说：“关键任务系统需要能在掉电的瞬间立即可靠地捕获数据的高性能存储器。赛普拉斯的16 Mb nvSRAM能够实现绝对的数据安全，并且是业界最快的高容量NVRAM。ONFI 1.0可选接口能使采用NAND控制器的客户也可以享受到我们nvSRAM无与伦比的性能。”

供货情况
16 Mb nvSRAM目前可以提供样片，预计于2014年第三季度量产。ONFI 1.0器件的供电电压为3V，IO电压为1.8V，数据总线宽度为8比特和16比特，封装方式为165-ball FBGA。异步并行器件可选择带或不带RTC，数据总线宽度为8、6、132比特，供电电压为3V、5V，以及1.8V IO电压的3V供电。其封装方式为44-pin TSOPII、48-pin TSOPI、54-pin TSOPII以及165-ball FBGA。

关于赛普拉斯nvSRAM
赛普拉斯的nvSRAM系采用存储在外部电容器中的电荷，而非电池，从而使这一器件适合于标准的PCB流水线生产。赛普拉斯的nvSRAM符合ROHS标准，可以直接替代SRAM、依靠电池供电的SRAM（BBSRAM）产品和EEPROM器件，提供快速非易失性数据存储能力。当发生断电的时候，数据可自动从SRAM传输到非易失性单元中。加电之后，数据可从非易失性存储器中恢复至SRAM。赛普拉斯的nvSRAM提供了高速数据传输性能，并在断电的时候，无需电池即可保证数据的完整性。其应用领域包括PLC、存储、航空电子、游戏，以及计量、工业、汽车和RAID应用。

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