图1 静态功耗的组成
源极到漏极的泄漏电流是泄漏的主要原因。MOS管在关断的时候,沟道阻抗非常大,但是只要芯片供电就必然会存在从源极到漏极的泄漏电流。随着半导体工艺更加先进,晶体管尺寸不断减小,沟道长度也逐渐减小,使得沟道阻抗变小,从而泄漏电流变得越来越大,而且源极到漏极的漏电流随温度增加呈指数增长。图2 Flash开关和SRAM开关的对比
(2) 更低的内核电压欢迎光临 电子技术论坛_中国专业的电子工程师学习交流社区-中电网技术论坛 (http://bbs.eccn.com/) | Powered by Discuz! 7.0.0 |