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标题: 宜普电源转换公司推出全新DrGaNPLUS 开发板 [打印本页]

作者: 520503 时间: 2014-6-18 16:07 标题: 宜普电源转换公司推出全新DrGaNPLUS 开发板

关键字：半桥转换器开发板 DrGaNPLUS 开发板宜普电源转换公司
宜普电源转换公司推出全新DrGaNPLUS 开发板-- 可Plug-and-Play、具97%效率的半桥转换器开发板.DrGaNPLUS EPC9202开发板内含100 V、具高频开关性能的氮化镓（eGaN）功率晶体管，输出电流为10 A，该板的尺寸极细小并可提高电源转换效率.
宜普电源转换公司推出DrGaNPLUS 系列评估板，为功率系统工程师提供易于使用的工具以评估氮化镓晶体管的优越性能。这些板所实现的设计概念是把一个半桥电路所需的所有元件集成在单一个极细小、基于印刷电路板的模块，使得易于装贴，从而实现采用氮化镓晶体管的优越功率转换解决方案。

宜普电源转换公司推出全新DrGaNPLUS 开发板

第一块DrGaNPLUS EPC9202开发板为100 V、10 A 半桥功率转换器，工程师可以立即及易于使用，只需“plug and play”开发板便能评估高性能氮化镓晶体管，例如常见于通信应用的电源转换是当Vin 是48V 及 Vout 是 12V时，该板可实现97%的峰值效率。

EPC9202开发板可以由单个PWM输入来驱动，内含两个氮化镓场效应晶体管（EPC2001）、德州仪器公司的LM5113驱动器及高频输入电容。DrGaNPLUS板的尺寸极细小，每边只是稍微大于9mm，并可以直接装贴在印刷电路板上。我们特别设计它配备最优版图，从而把共源电感及高频功率换向环路电感的影响减至最低。

宜普电源转换公司推出全新DrGaNPLUS 开发板

宜普电源转换公司首席执行官及共同创始人Alex Lidow说"我们很高兴推出DrGaNPLUS开发板系列中内含氮化镓场效应晶体管的第一块EPC9202 开发板。除了具备更高性能、更低成本及高可靠性的优势外，对于采纳全新技术来说，易用性是非常重要的因素。现在功率转换系统设计工程师可以利用DrGaNPLUS开发板易于在他们的功率系统电路对氮化镓晶体管的优势进行评估"。

随EPC9202开发板一起提供的还有一份供用户参考和易于使用的网上速查指南，内载有详细资料包括设置步骤、电路图框、性能曲线及材料清单。

氮化镓场效应晶体管的设计资料及技术支持

速查指南 - http://epc-co.com/epc/documents/guides/EPC9202_qsg.pdf
关于EPC2001及所有宜普氮化镓器件的数据表，可在这个网页下载：http://epc-co.com/epc/Products/eGaNFETs.aspx

关于开发板及其它设计支持的资料：http://epc-co.com/epc/Products/DemoBoards.aspx

关于给所有氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）的器件模型：http://epc-co.com/epc/DesignSupport/DeviceModels.aspx

关于应用笔记及支持您的设计的资料，可在氮化镓图书馆下载：http://epc-co.com/epc/GaNLibrary.aspx

宜普电源转换公司推出专为缩短工程师的学习曲线而设的“如何使用氮化镓器件”教程系列的视频播客

宜普公司推出由业界专家制作合共十一个教程单元的视频播客，帮助工程师了解并探索氮化镓功率晶体管的理论、基本设计及实际应用。

宜普电源转换公司（www.epc-co.com.cn）推出合共十一个教程单元的网络视频播客，专为功率系统设计工程师而设，提供基于技术及应用的工具，让工程师学习如何使用基于氮化镓的晶体管设计出更高效电源转换系统。

该视频系列除了包括氮化镓器件的理论及基本设计的概览外，在广阔的电力电子应用领域提供采用氮化镓晶体管的实例如支持通信及数据通信系统的直流-直流转换。此外，该教程系列展示了优越的氮化镓器件推动了新兴应用的出现例如无线电源传送及射频包络跟踪等应用。

第一个单元是“如何使用氮化镓 – 材料的比较”，让工程师了解为什么氮化镓是一个这么好的半导体材料。之后我们深入探讨氮化镓器件的性能特性、提供设计实例及通过解构设计要求如栅极驱动器、版图及热管理来学习关于氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）的实际应用。

宜普电源转换公司首席执行官及共同创办人Alex Lidow称"这一系列视频可帮助工程师认识氮化镓技术的优势及在电源转换系统中如何使用氮化镓器件以发挥其最高性能。最重要的是，本教程系列可大大缩短工程师的学习曲线，提高他们实现具高频开关及高性能的氮化镓功率晶体管的最大优势的能力。"

“如何使用氮化镓教程视频”可在宜普公司视频图书馆找到。

宜普公司教程系列的所有讲者包括Alex Lidow, Michael DeRooij, Johan Strydom and David Reusch在功率晶体管的设计及应用方面共拥有超过75年经验。他们拥有理科博士学位，在新兴氮化镓晶体管技术方面拥有实际经验。Lidow博士专注氮化镓晶体管的理论及工艺设计，而Strydom博士、De Rooij 博士及Reusch博士分别专注氮化镓功率晶体管的应用。

在采用E类放大器拓扑的低功率及高频无线电源转换器对eGaNFET的性能进行评估

宜普公司的应用专家在六月十七日于上海举行的PCIM Asia技术研讨会展示氮化镓器件在无线电源传送应用的优势。演讲者为应用工程执行总监Michael de Rooij博士。

EPC之前已展示了氮化镓场效应晶体管（eGaNFET）可推动采用电压模式D类系统的无线电源传送应用实现超过70%的峰值效率，这也是比等效ＭＯＳＦＥＴ版本的总效率高出４％。在PCIM Asia,我们将进一步展示与电压模式D类系统相比，如果使用相同线圈及器件负载，氮化镓场效应晶体管在E类无线电源传送系统可改善效率达20%。该设计也可配合使用松散耦合线圈并在6.78 MHz的ISM频带工作。实验性的范例将展示氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）的特点如低封装寄生电感，使得E类系统可取得最优转换效率。设计范例将专注一个线圈之间的固定耦合及固定负载从而简化设计。　我们设计实验性的配置使用EPC2012氮化镓场效应晶体管，可传送达30 W功率。

宜普电源转换公司的首席执行官及共同创办人Alex Lidow称"我们非常高兴得到PCIM亚太区委员会选出我们的最新氮化镓技术议题，使得我们再次有机会与您见面及讨论氮化镓技术的最新发展。PCIM亚太区委员会的决定支持我们相信具备优越性能的氮化镓技术备受功率系统设计工程师们的关注及认同。"

研讨会的详情如下：
议题：在低功率、高频、使用E类拓扑的无线电源转换器对氮化镓场效应晶体管（eGaNFET）作出性能评估
日期：六月十七日星期二
时间：早上十时五十分至十一时十五分
地点：上海世博展览馆
环节：宽频隙功率半导体
演讲者：宜普应用工程执行总监Michael de Rooij博士

有兴趣与我们的应用专家交流的工程师，请发送电子邮件至info@epc-co.com.。
PCIM Asia为工程师提供全面及专注功率转换智能运动的交流机会，包括功率半导体的最新发展。在上海举行的PCIM Asia每一年为全球功率电子业界举行会议，详情请访问http://www.pcimasia-expo.com.cn/。

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