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标题: Diodes推出世界最小60V功率MOSFET提升功率密度 [打印本页]

作者: 520503 时间: 2014-6-27 17:35 标题: Diodes推出世界最小60V功率MOSFET提升功率密度

关键字：功率MOSFET DMN6070SFCL 导通电阻 Diodes
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出导通电阻小于100mΩ的全球最小60V .
NMOS ─ DMN6070SFCL。新器件的占位面积为1.6mm x 1.6mm，高度则是一般的0.5mm，并采用了DFN1616封装，有助于在手机、超薄液晶电视及掌上游戏机等受空间限制的产品内实现更高的功率密度。

全新MOSFET的导通电阻在VGS达到4V时低至74 mΩ，可尽量减少导通损耗及提高整体功率效率。DMN6070SFCL支持2A的连续电流以及10A的脉冲电流，有效应付直流-直流转换尖峰。

Diodes推出世界最小60V功率MOSFET提升功率密度

这款微型MOSFET是Diodes 60V N-和P-通道器件系列之一，旨在满足负载开关、直流-直流转换及信号开关占空比的要求。该系列还提供SO8、SOT23、SOT223和TO252四款较大的封装选择，适合消费性电子产品、工业控制及采暖、通风与空调设备等多种应用。

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