表2:用于图3所示设计的设计度量指标
设计度量指标 | 器件:XC6VCX75TFF784-2 |
DSP48E | 1 |
查找表 | 44 |
触发器 | 61 |
实现的最佳时钟周期(ns) | 2.856 |
时延 | 69 |
吞吐量(初始间隔) | 69 |
信号 | 描述 |
matleft_ce0 | 矩阵1存储器的芯片使能 |
matleft_q0[15:0] | 矩阵1的16位元素 |
matleft_address[1:0] | 矩阵1存储器的读地址 |
matright_ce0 | 矩阵2存储器的芯片使能 |
matright_q0[15:0] | 矩阵2的16位元素 |
matright_address[1:0] | 矩阵2存储器的读地址 |
product_ce0 | 积矩阵的存储器的芯片使能 |
product_we0 | 积矩阵的存储器的写使能 |
product_d0[15:0] | 积矩阵存储器的写数据 |
product_q0[15:0] | 积矩阵存储器的读数据 |
product_address0[1:0] | 积矩阵要读写数据的地址 |
ap_clk | 设计的时钟信号 |
ap_rst | 设计的高有效同步复位信号 |
ap_start | 开始计算的开始信号 |
ap_done | 计算结束和输出就绪的完成信号 |
ap_idle | 表示实体(设计)空闲的空闲信号 |
ap_ready | 表示设计为新输入数据做好准备,与ap_idle配合使用 |
信号 | 描述 | |
d_mat1_V_read | 设计为矩阵1(左侧矩阵)输入做好准备时的信号 | |
d_mat1_V_dout [15:0] | 矩阵1的16位流元素 | |
d_mat1_V_empty | 通知设计矩阵1没有更多元素的信号 | |
d_mat2_V_read | 设计为矩阵2(右侧矩阵)输入做好准备时的信号 | |
d_mat2_V_dout [15:0] | 矩阵2的16位流元素 | |
d_mat2_V_empty | 通知设计矩阵2没有更多元素的信号 | |
d_product_V_din [15:0] | 积矩阵的16位输出元素 | |
d_product_V_full_n | 通知设计积矩阵应该被写入的信号 | |
d_product_V_write | 显示积矩阵正在被写入数据的信号 | |
ap_clk | 设计的时钟信号 | |
ap_rst | 设计的高有效同步复位信号 | |
ap_start | 开始计算的开始信号 | |
ap_done | 计算结束和准备好信号输出的完成信号 | |
ap_idle | 表明实体(设计)空闲的空闲信号 | |
ap_ready | 表示设计为新输入数据做好准备,与ap_idle配合使用 |
器件:XC6VCX75TFF784-2 | |||
设计参数 | 无BRAM 或无分布式RAM存储矩阵 | 单端口BRAM存储矩阵 | 分布式RAM(LUT实现)存储矩阵 |
DSP48E | 1 | 1 | 1 |
查询表 | 185 | 109 | 179 |
触发器 | 331 | 102 | 190 |
BRAM | 0 | 3 | 0 |
实现的最佳时钟周期(纳秒) | 2.886 | 3.216 | 2.952 |
时延 | 84 | 116 | 104 |
吞吐量(初始间隔) | 84 | 116 | 104 |
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