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标题: 一位德国老专家眼中的功率器件技术之美 [打印本页]

作者: porereading 时间: 2014-7-6 18:32 标题: 一位德国老专家眼中的功率器件技术之美

“抱歉我不会讲中文，我的英文也不是很标准，但是我相信台下的同学们的能力，应该听得懂接下来我要讲的内容。”5月28日在英飞凌高校日南航站的演讲中，来自德国的英飞凌功率器件技术专家，IEEE协会顾问LeoLorenz以上面一段话作为他的开场白。从稍后提问环节的热烈程度可知Leo说的没错，这和Leo深入浅出的演讲内容有关，而能和如此资深的技术专家面对面交流，同学们当然也不会错过这样难得的机会。

Leo Lorenz在英飞凌高校日南航站为同学们带来精彩技术演讲

同学们深深被吸引

互动很踊跃

演讲结束后与非网记者又和Leo做了深入的沟通，这位谦和而严谨的老者跟我们分享了他对功率器件技术当前热点以及未来发展路径的想法，包括：

1. 随着全面电子化、智能化社会的飞速发展，能耗问题已经显得刻不容缓，由此将给功率器件带来极乐观的发展机遇，这点应该属于共识；

2. 功率器件技术同样面临4大挑战—高精度的控制以及高效率、高功率密度、系统可靠性以及高温散热处理；

3. Leo对目前市场上的混合功率器件，即一些厂商推出的号称融合IGBT和MOSFET性能优势的Hybrid产品并不看好，Leo称这类产品设计复杂度提高，因为是同时采用Bipolar和MOS工艺实现，且在高频和低频时需要在两种模式间切换，会给系统设计的性能带来很大的问题。另外，Leo对现有SiC BJT器件的前景也并不看好，因为二极管的特性决定，这些器件始终需要一个基准电流才能启动，这一点不能满足未来严苛的能效要求，因此会逐渐被淘汰；

4. 未来10到20年，在高压应用领域，SiCMOSFET将大有作为，在低压应用领域，GaNMOSFET将大展拳脚，而现阶段二者面临的共同问题是要提高良率和可靠性，在SiCMOSFET和GaNMOSFET之外，IGBT也将发挥越来越重要的作用；

未来10年，功率器件的主流工艺

5. 在一些低压和便携式的应用领域，因为尺寸的要求，PMU即高集成度的电源管理产品将成为一种趋势，而对于高压应用而言，PMU还有不可克服的技术难题，同时来自应用的高集成度的需求也并不那么明显；

6. 封装技术方面，3D封装因能大大提高电源产品的集成度、降低系统设计的复杂度而成为一种重要的技术研发方向，而与数字类芯片不同，模拟和电源芯片因其设计的复杂度更高，对3D封装技术提出更高要求，因此，Leo预计，用于功率产品的3D封装技术至少要在5年后才能进入量产。

短短3个小时的活动时间毕竟太短，相信很多同学学习中积累下来的问题也没办法在这么短的时间内得到充分解答，而正如英飞凌集成电路（北京）有限公司执行董事刘鲁伟所说，英飞凌高校日活动的初衷，是希望通过这种方式和国内更多的高校建立紧密的联系，这一活动只是一个开始，英飞凌将通过多种形式的校企合作，为国内高校带来更多的前沿技术资讯以及和更多技术专家的互动交流机会，从而让越来越多的工科学子从中受益。

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