标题:
Diodes推出世界最小60V功率MOSFET提升功率密度
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作者:
porereading
时间:
2014-7-6 18:40
标题:
Diodes推出世界最小60V功率MOSFET提升功率密度
Diodes
公司
(Diodes Incorporated)
推出导通电阻小于
100mΩ
的全球最小
60V NMOS─ DMN6070SFCL
。新器件的占位面积为
1.6mmx 1.6mm
，高度则是一般的
0.5mm
，并采用了
DFN1616
封装，有助于在手机、超薄液晶电视及掌上游戏机等受空间限制的产品内实现更高的功率密度。
全新
MOSFET
的导通电阻在
VGS
达到
4V
时低至
74 mΩ
，可尽量减少导通损耗及提高整体功率效率。
DMN6070SFCL
支持
2A
的连续电流以及
10A
的脉冲电流，有效应付直流
-
直流转换尖峰。
这款微型
MOSFET
是
Diodes60V N-
和
P-
通道器件系列之一，旨在满足负载开关、直流
-
直流转换及信号开关占空比的要求。该系列还提供
SO8
、
SOT23
、
SOT223
和
TO252
四款较大的封装选择，适合消费性电子产品、工业控制及采暖、通风与空调设备等多种应用。
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