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标题: 单片机自编程及Bootloader设计（2） [打印本页]

作者: yuyang911220 时间: 2014-7-26 12:55 标题: 单片机自编程及Bootloader设计（2）

　2 自编程
　　2.1 自编程环境
　　2.1.1 硬件环境
　　FLMDO引脚是78KO/Fx2系列单片机为Flash编程模式设置的，用于控制MCU进入编程模式。在通常操作情况下，FLMDO引脚下拉到地。要进入自编程模式，必须使FLMDO引脚置成高电平。因此，通过一个普通I/O接口控制FLMD0引脚的电平。如图2所示。

　　2.1.2 软件环境
　　1）使用通用寄存器bank3，自编程库函数，需要调用通用寄存器bank3。因此，在自编程时，不能对通用寄存器bank3操作。
　　2）使用100 B RAM（入口RAM）作为隐藏ROM中函数的工作区，入口RAM，是Flash存储器自编程样例库所使用的RAM区域。用户程序需要保留着块区域，当调用库时，需要指定这片区域的起始地址。入口RAM地址可以指定在FB00h～FE20h之间。
　　3）4～256 B RAM作为数据缓冲区，必须是FE20H～FE83H以外的内部高速RAM区域。
　　4）最大39 B RAM作为隐藏ROM函数的堆栈。
　　5）隐藏ROM中的函数被0000H～7FFFH中的应用程序调用。
　　2.2 自编程流程
　　自编程功能利用自编程软件库完成用户程序对Flash内容的重新编程。如果在自编程的过程中有中断发生，那么自编程将暂停来响应中断。中断结束，自编程模式恢复后，自编程过程将继续进行。采用汇编语言编写78K0/Fx2自编程软件库，如表1所示。

　　自编程操作流程如图3所示，当单片机收到自编程执行信号时，开始进入自编程模式。将FLMDO引脚设置成高电平，初始化入口RAM，为自编程库函数开辟空间。当确认FLMD0为自编程状态时，开始检查需要编程区域是否为空白区域。当被编程区域不是空白区域时，先将其擦除，然后在此区域进行编程。编程结束后进行校验。若校验无误，则将FLMDO引脚设置成低电平，退出自编程模式。

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