标题:
追述模拟IC的起源
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作者:
520503
时间:
2014-8-14 17:40
标题:
追述模拟IC的起源
关键字:
模拟IC
MOS方程
精密运放
仿真
要点
1.原美国国家
半导体
公司的设计人员提供了在30年~40年前做IC设计的挑战性景象,以及这些经历如何造就了今天的IC。
2.设计人员开发了所谓的工装盒(kludge box),用于验证设计的性能,有时也被用作后续生产的测试设备。
3.设计者用仿真工具做验证,但他们必须先做手工计算,而到80年代中期以前,做面包板一直是标准的方法。
4.凌力尔特公司共同创建人、工程副总裁兼首席技术官Bob Dobkin在原美国国家半导体公司度过了他的早期设计岁月,他创造性地使早期运放超过了1MHz带宽极限。
历史极具启发性,从中能看到我们前辈的成功与失败,告诉我们在生活中要避免什么和效仿什么。日常生活中如此,模拟IC和模拟电路的设计中也如此。创新型开发人员与创新性开发成果造就了21世纪的今天我们在设计中使用的模拟产品。本文深入探讨了原美国国家半导体(NS)公司、德州仪器(TI)公司和凌力尔特(Linear)公司早期
精密运放
的开发工作。下一期还将关注Burr-Brown、ADI、Microchip和Maxim,以及模拟技术领域的先驱们。
运放IC的起源
经历了IC发展过程中的痛苦后,有些设计者脱颖而出。其中一些人曾供职于原美国国家半导体公司(现在已被TI收购),他们正指引着芯片设计工程师走出一条全新的成功之路,从而让电路设计者获得今天高要求市场所渴望的那种下一代IC。TI专家Dennis Monticelli表示,计算机发展的故事也是IC发展的故事,两者无法分隔开来。他的合作人—首席技术官Erroll Dietz回忆起模拟IC的初期岁月,认为那是“电子的蛮荒西部”。这些设计者在工作中采用自己制定的设计规则,使用晶体管工具包的器件,用带插座的覆铜板作为设计工具,以及使用分立的电阻与电容(图1)。
TI公司著名技术专家Mike Maida称:“工具包的器件都是在线性IC晶圆生产线上制造的晶体管,用金属壳做外封装。设计规则在IC布局中用间距作为约束,例如:基极与绝缘、基极内的射极,等等。设计者有时会对特殊情况找到自己的设计规则,如降低电压,不过必须得到晶圆工程师的认可。我们有小的透明‘尺子’,可以测量IC合成图上的间距。”
设计者采用Level 2 Spice做仿真,它使用改进的Grove方程,这是所有仿真器中最常用的MOS方程。HKJ Ihantola和JL Moll在1964年发现了这个方程(参考文献1)。跨导在时间上的不连续性让设计者遇到很大困难。例如,在数兆赫兹以上频率做设计时,很难用面包板。Maida说:“仿真是70年代末期的事情,那时没人仿真线性IC。”
同为TI资深技术专家的Don Archer称:“对于强反型和弱反型之间的区域,Level 2 MOS模型有一个大的不连续性。当工作在准亚阈值区时,模型的不连续性对于收敛是一个大问题,并且,我们开始时还没有
建模
小组。我们去测量工具包的器件,从而得到我们自己的模型参数。”
设计者还缺乏制作逻辑图的能力,他们不得不手工输入网表,包括射极、基极和集电极值,并手工生成一份逻辑图,以检查这些值的准确性。然后,他们再为手画的逻辑图加上仿真结点号。网表中的各个行可能看上去是这样:Q1 8740NPN1,它代表了NPN1型器件,集电极结点为8,基极结点为7,射极结点为4,而基板结点为0。每只晶体管、电阻和电容都必须输入类似的一行。
TI 公司技术总监FarhoodMoraveji说:“如果要看波形,我们就得用绘图和打印指令,设定要打印或绘制的结点。对于分层的更复杂电路,我们必须采用子电路指令。后端工具根本不存在或很粗糙,DRC(设计规则检查)与LVS(布局对逻辑图)检查都不是自动的,同事们用它做独立的手动LVS检查,验证电路与布局的匹配性。”
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