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标题: 【晒FRAM铁电存储器样片】+FRAM与E2PROM的可替换性比较3――读写时序 [打印本页]

作者: yang_alex 时间: 2014-8-15 00:34 标题: 【晒FRAM铁电存储器样片】+FRAM与E2PROM的可替换性比较3――读写时序

本帖最后由 yang_alex 于 2014-8-15 00:35 编辑

前面我们已经比较了引脚顺序、器件封装和读写命令。接下来我们比较两者的读写时序，如果读写时序也相同或兼容，则源代码也不用修改了。首先上时序图

原来ST的E2PROM--M24256-BW 的时序图

Fujitsu的FRAM--MB85RC256V的时序图

两者的时序比较（对应参数中第一行是Fujitsu的FRAM--MB85RC256V的数据，第二行是ST的E2PROM--M24256-BW 的数据

结论：从上面的比较表格可以看出，Fujitsu的FRAM--MB85RC256V是可以兼容ST的E2PROM--M24256-BW 的。对于ST的E2PROM--M24256-BW来说，无论字节写入还是页写入，操作完成后都必须有5mS的等待时间，但Fujitsu的FRAM--MB85RC256V是不需要的。如果是新开发产品，省掉这个可以大大提高写入速度。无论是新老产品，使用Fujitsu的FRAM--MB85RC256V后，意外掉电导致存储数据错的几率大大降低了。

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作者: 蓝小墨云 时间: 2014-8-15 10:29

多谢楼猪的分享

作者: yang_alex 时间: 2014-8-16 09:13

2# 蓝小墨云
你能看到图像吗？我自己怎么看不到啊？

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