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标题: STM32-FSMC机制的NOR Flash存储器扩展技术(3) [打印本页]

作者: yuyang911220    时间: 2014-8-18 18:04     标题: STM32-FSMC机制的NOR Flash存储器扩展技术(3)

对于异步突发访问方式,FSMC主要设置3个时间参数:地址建立时间(ADDSET)、数据建立时间(DATAST)和地址保持时间(ADDHLD)。FSMC综合了SRAM/ROM、PSRAM和NOR Flash产品的信号特点,定义了4种不同的异步时序模型。选用不同的时序模型时,需要设置不同的时序参数,如表2所列。在实际扩展时,根据选用存储器的特征确定时序模型,从而确定各时间参数与存储器读/写周期参数指标之间的计算关系;利用该计算关系和存储芯片数据手册中给定的参数指标,可计算出FSMC所需要的各时间参数,从而对时间参数寄存器进行合理的配置。

3 STM2扩展S29GL系列NOR Flash实例
3.1 S29GL系列NOR Flash简介
    Spansion公司的S29GL系列芯片是采用90nm技术制造的高集成度NOR Flash存储芯片,提供16~128 MB可选容量,支持最快25 ns的页访问速度和11O ns的随机访问速度,带有最大64字节的写缓冲区,以提供更快、更高效的编程,是嵌入式系统设计中大容量存储器扩展的理想选择。本文选用的型号为S29GL512P,容量为512×64K字(总容量64 MB),扩展到NOR Flash控制器管理的BANK1的第2个子BANK。
3.2 STM32与S29GL512P的电路连接
    S25GL512P可通过控制引脚BYTE选择对芯片的访问单位(字/字节),区别在于:
    ①对于芯片引脚DQ15,字模式时传送最高数据位D15;字节模式时传送最低地址A-1。
    ②字模式时,数据引脚D0~D15上传送数据信号;字节模式时,只有D0~D7上有信号。
    此处,将BYTE上拉到高电平,选择16位的字访问单位。FSMC数据线FSMC_D[15:0]与S29GL512P的D15~D0对应连接;FSMC地址线FSMC_A[25:0]的低25根与S29GL512P的地址线A[24:0]对应连接。
    由于S29GL512P芯片映射到BANK1的子BANK2,可确定其片选线应连接FSMC片选控制线FSMC_NE2。S29GL512P的RY/BY引脚连接FSMC的FSMC_NWAIT引脚,提供等待信号。
3.3 FSMC的配置
    根据S29GL512P的映射位置,需要对FSMC_BCR2和FSMC_BTR2/BWTR2寄存器进行配置。
    (1)FSMC_BCR2
    配置S29GL512P的读/写采用统一时间参数,只需要设置时间寄存器FSMC_BTR2。配置存储器类型为NORFlash,数据总线宽度为16位(字),不采用地址/数据复用,使能BANK1的子BANK2。
    (2)FSMC_BTR2
    由表2可知,异步NOR Flash时序模型Mode2/B需要设置时间参数DATAST和ADDSET。根据时序图,两个参数的计算公式如下:
    
式中:Twc和Trc为所选存储芯片的写周期长度和读操作周期长度;Twp为所选存储芯片的写信号持续长度。根据S29GL512P用户手册,可知参数Twc=Trc=130 ns,Twp=35 ns。设STM32微控制器采用72 MHz主频,则HCLK=(1/72×10-6)s。通过上述公式计算,可取值为:DATAST=2,ADDSET=5。




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