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标题: STM32-FSMC-NOR FLASH （2） [打印本页]

作者: yuyang911220 时间: 2014-8-24 16:46 标题: STM32-FSMC-NOR FLASH （2）

2. 时序计算
如上所述，对于异步NOR闪存存储器或类似的存储，有不同的访问协议。首先要确定对特定存储器所需要使用的操作协议，选择的依据是不同的控制信号和存储器在读或写操作中的动作。
对于异步NOR闪存存储器，需要使用模式2协议。如果要使用的存储器有NADV信号，则需要使用扩展的模式B协议。
我们将使用模式2操作M29W128FL，不使用任何扩展模式，即读和写操作的时序是一样的。这时NOR闪存控制器需要3个时序参数：ADDSET、DATAST和ADDHOLD。
需要根据NOR闪存存储器的特性和STM32F10xxx的时钟HCLK来这些计算参数。
基于图3和图4的NOR闪存存储器访问时序，可以得到下述公式：
写或读访问时序是存储器片选信号的下降沿与上升沿之间的时间，这个时间可以由FSMC时序参数的函数计算得到：
写/读访问时间 = ((ADDSET + 1) + (DATAST + 1)) × HCLK
在写操作中，DATAST用于衡量写信号的下降沿与上升沿之间的时间参数：
写使能信号从低变高的时间 = tWP = DATAST × HCLK
为了得到正确的FSMC时序配置，下列时序应予以考虑：
●最大的读/写访问时间
●不同的FSMC内部延迟
●不同的存储器内部延迟
因此得到：
((ADDSET + 1) + (DATAST + 1)) × HCLK = max (tWC, tRC)
DATAST × HCLK = tWP
DATAST必须满足：
DATAST = (tAVQV + tsu(Data_NE) + tv(A_NE))/HCLK – ADDSET – 4

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