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标题: 10nm级MLC NAND SAS固态硬盘问世 [打印本页]

作者: 520503 时间: 2014-9-14 20:16 标题: 10nm级MLC NAND SAS固态硬盘问世

关键字：SAS固态硬盘存储芯片 SM1623 三星
全球存储器领军者三星电子8月7日宣布，已开始量产基于10纳米级MLC NAND闪存的全新高性能SAS固态硬盘。
三星电子存储芯片市场营销部负责人白智淏常务表示：“随着SAS固态硬盘的推出，我们在企业级存储固态硬盘市场上的竞争力得到了大幅提升。今后，我们致力于为存储客户提供多种多样的新一代大容量固态硬盘，推动高速增长的企业级存储固态硬盘市场进一步发展。”

为满足全球众多客户对高性价比，大容量固态硬盘的热切需求，三星电子针对企业级用户，推出了全新的SAS固态硬盘SM1623，使其企业级固态硬盘产品线覆盖了包括NVMe，PCIe，SATA以及SAS在内的所有主要接口标准。

在2012年推出SAS固态硬盘SM1625系列产品之后，此次发布的SM1623容量为800GB。与20纳米级的SM1625相比，10纳米级的SM1623不仅在性能上达到了同样的水平，生产效率更提升了30%以上。此外，SM1623还支持一次以上的DWPD(每日整盘写入次数)，适合追求高耐用性，高性能和优化总成本（TCO）的企业级存储客户使用。SM1623的随机读写速度最高分别可达120，000 IOPS 和26，000IOPS，而连续读写速度则分别最高为950MB/s和520MB/s。

今后，三星电子计划继续推出新一代SAS固态硬盘，以进一步充实SAS固态硬盘产品线，并大幅度提升其在企业级固态硬盘市场的影响力。

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