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标题: STM32L系列单片机内部EEPROM的读写 [打印本页]

作者: yuyang911220 时间: 2014-9-25 22:51 标题: STM32L系列单片机内部EEPROM的读写

STM32L系列单片机内部提供了EEPROM存储区域，但实质上，其FLASH也是EEPROM类型，只不过有一块区域被开放出来专门用作EEPROM操作而已。STM32L的EEPROM使用寿命设计为100000次擦写以上，容量为2K-4K，这对于一般设备的参数存储来说是非常理想的。但从EEPROM使用方式看，其不适用于被反复修改的数据存储使用，一般作为配置参数，其修改次数往往是比较少量的。 STM32L的EEPROM和FLASH是统一编址，操作共用同一个读写电路，所以在EEPROM读写的时候STM32L核对于FLASH的一切访问和操作都将暂停，只有当EEPROM的操作完成后，才继续执行后续代码，在这期间只有EEPROM的读写电路工作，CPU处于挂起状态。
读操作，和FLASH以及内存一样，EEPROM的数据读取直接用总线读周期读出即可，不需要进行额外操作和设置。

#define EEPROM_BASE_ADDR 0x08080000
#define EEPROM_BYTE_SIZE 0x0FFF

#define EEPROM_BASE_ADDR 0x08080000 #define EEPROM_BYTE_SIZE 0x0FFF 以上定义EEPROM区的起始位置和大小，给定偏移量之后，可以按字节/半字/字/双字方式读出，但要注意的是最好偏移地址都按四字节对齐，以免产生总线访问错误或是取不正确：

/*------------------------------------------------------------
Func: EEPROM数据按字节读出
Note:
-------------------------------------------------------------*/
void EEPROM_ReadBytes(uint16 Addr,uint8 *Buffer,uint16 Length)
{
uint8 *wAddr;
wAddr=(uint8 *)(EEPROM_BASE_ADDR+Addr);
while(Length--){
*Buffer++=*wAddr++;
}
}

/*------------------------------------------------------------ Func: EEPROM数据按字节读出 Note:-------------------------------------------------------------*/void EEPROM_ReadBytes(uint16 Addr,uint8 *Buffer,uint16 Length){ uint8 *wAddr; wAddr=(uint8 *)(EEPROM_BASE_ADDR+Addr); while(Length--){ *Buffer++=*wAddr++; } }

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