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标题: ST推出小裸片1G/512M 65nm多电平单元NOR闪存 [打印本页]

作者: juliguo    时间: 2007-2-26 16:23     标题: ST推出小裸片1G/512M 65nm多电平单元NOR闪存

ST推出采用65nm制造工艺的PR系列NOR闪存产品。基于第四代多电平单元(MLC)技术65nm PR系列闪存的软硬件兼容现有的90nm PR系列NOR闪存为客户升级现有系统提供了一条捷径同时还提高了存储密度和产品性能。






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