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标题: IR以650V器件扩充超高速沟道IGBT系列 [打印本页]

作者: 520503 时间: 2014-10-23 23:29 标题: IR以650V器件扩充超高速沟道IGBT系列

关键字：650V器件 IGBT 绝缘栅双极晶体管 IR
2014年10月21日，北京——全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出多款坚固可靠的650V IRGP47xx器件，藉以扩充绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列。新产品旨在为多种快速开关应用作出优化，包括光伏逆变器、焊接设备、工业用电机、感应加热和不间断电源等应用。

IR以650V器件扩充超高速沟道IGBT系列

全新的IRGP47xx系列IGBT提供从15A到90A的电流范围，并采用沟道纤薄晶圆技术降低导通损耗和开关损耗，以提升系统效率。这些产品可作为分立式器件或与软恢复低Qrr二极管一起封装，能够为8KHz到30KHz的超高速开关作出优化，从而提供高达6μs的短路额定值，以及有助于并联的VCE(ON)正温度系数。新器件具有较高的击穿电压，即便在极端天气和交流线路不稳定的情况下也能提高可靠性，无需电压抑制器件。

IR亚太区销售副总裁潘大伟表示：“全新650V IRGP47xx系列具有超高速开关频率，以及低导通损耗和开关损耗，能够为要求坚固可靠、高效且更小占位面积的应用提供具有成本效益的解决方案。”

IRGP47xx系列适用于广泛的开关频率范围，在100°C下提供仅1.7V 的低VCE(ON)和低总开关损耗，可有效减少功耗。新产品以封装器件供应，其它主要功能包括最高达175°C的工作结温和低电磁干扰，有助于提升可靠性。

规格

规格

产品现正接受批量订单。新器件符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS)。

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