瑞萨科技与松下电器产业有限公司宣布，共同开发出一种可以使45nm工艺传统CMOS的SRAM（静态随机存取存储器）稳定工作的技术，这种SRAM可以嵌入在SoC（系统级芯片）器件和微处理器（MPU）当中。采用这种技术的512Kb SRAM的实验芯片的测试已经得到证实，可以在宽泛的温度条件下（-40度－125度）稳定工作，而且在工艺发生变化时具有较大的工作电压范围裕量。采用45nm CMOS工艺生产的用于实验的SRAM芯片集成了两种不同的存储单元设计，一个元件面积仅有0.327μm²，另一个的元件面积为0.245μm²——这是最小的水平。更小的存储单元是利用减少处理尺寸裕量实现的。