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标题: 飞思卡尔推出高功率多级射频功率LDMOS FET [打印本页]

作者: juliguo    时间: 2007-2-28 16:03     标题: 飞思卡尔推出高功率多级射频功率LDMOS FET

飞思卡尔半导体公司日前为适用于时分同步码分多址(TD-SCDMA)无线基站推出高功率多级射频功率LDMOS FET

TD-SCDMA标准是第三代无线接入方法,这种标准有望在中国广泛采用。飞思卡尔是第一家专门针对新兴的标准提供商用射频集成电路(RFIC)的公司。新近优化的飞思卡尔MW6IC2240NB高输出水平使OEM能够把部件数量从以前的2-3个设备减少到一个,不但节约了电路板空间,而且降低了功率消耗和成本。

TD-SCDMA标准是第三代无线接入方法,这种标准有望在中国广泛采用。飞思卡尔是第一家专门针对新兴的标准提供商用射频集成电路(RFIC)的公司。新近优化的飞思卡尔MW6IC2240NB高输出水平使OEM能够把部件数量从以前的2-3个设备减少到一个,不但节约了电路板空间,而且降低了功率消耗和成本。






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