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标题: 去耦和旁路电路特性 [打印本页]

作者: 我是MT    时间: 2014-10-30 09:04     标题: 去耦和旁路电路特性

电容器中,介质材料决定了自谐振频率的零点值。所有介质材料都是温度敏感的。电容器的电容值将随环境温度的变化而改变。在特定温度下,电容值大量改变可能导致运行性能的降低,或作为旁路和去耦电容作用时,失去部分运行性能c介质材料的温度特性越稳定,电容器的工作特性就越好。

  除了介质材料的温度敏感性外,在所考虑的运行频率下,等效串联电感ESL)和等效串联电阻ESR)必须要很小。前面讨论电容阻抗特性的时候讲过,ESL的作用等同于寄生电感器,而ESR的作用等同于寄生电阻,他们都与电容器串联。表面安装电容器,ESL相当小,不是主要考虑因素。径向或轴向引线部件总是存在一个大的ESL值。|

  ESLESR将削弱电容器作为旁路器件的效果。随机地选择标准电容器,如果ESLESR过高,可能导致电容的运行性能下降,所以在高速PCB设计中,必须选择公布了实际的ESLESR的电容器系列。

  因为表面安装的电容器具有足够小的ESLESR,这些比径向或轴向类型更合适。通常ESL小于10 nHESR小于05Ω。对去耦电容器来说,电容值公差与稳定性、介质常数、ESLESR和自谐振频率的重要性各有侧重。






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