标题:
安森美半导体推出新类的CCD图像传感器,重新定义微光成像性能
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作者:
ebacomms
时间:
2014-11-5 18:26
标题:
安森美半导体推出新类的CCD图像传感器,重新定义微光成像性能
2014
年
11
月
4
日
–
推动
高能效创新
的安森美半导体
(ON Semiconductor
,美国纳斯达克上市代号:
ONNN
)
推出新类的电荷耦合器件
(CCD)
图像传感器技术,
为
工业市场的微光成像
树
立新的基准。
这新技术结合安森美半导体领先业界的行间转移
(Interline Transfer, IT) CCD
像素设计及新开发的电子倍增
(E
lectron
M
ultiplication
,EM)
输出结构,使图像传感器方案能够提供亚电子
(
sub-electron
)
噪声性能及
CCD
级图像品质和均匀性,用于极微光成像。
KAE-02150
是首款采用新技术的图像传感器,能
在
日光
到
星光
、
高光
到背光等
差异很大
的光照条件下捕获
1080p(1920 x 1080)
视频,因而大幅拓展单摄像头成像系统的成像能力。这在极缺乏光照的应用中尤为有用,如监控、防卫
/
军事、科学及医疗成像、智能交通系统。
安森美半导体图像传感器业务部副总裁
Chris McNiffe
说:“
KAE-02150
图像传感器
是
我们首款充分利用新的行间转移
EMCCD
技术的器件,为业界提供了一款革命性的方案。
CCD
器件的优异图像品质及均匀性扩展至极
微
光条件,使工业市场的客户能在最
有难度
成像条件下获得
全新的
性能水平。这
明显展示
了安森美半导体独
一无二的
能力,
能
充分利用公司不断扩增的成像技术,为客户提供最先进的成像方案。”
KAE-02150
采用创新的输出电路设计,用于同一图像内以逐一像素为基础利用传统
CCD(
低增益
)
或
EMCCD(
高增益
)
输出,支持高动态范围
(HDR)
成像。各个单独像素的电荷被测量,信号电平与拍照系统中用户可选择的阈值比较,以确定各个电荷包
(packet)
的路由位置。场景中极微光照区域的像素可以选择性地路由至
EMCCD
输出,而图像中明亮区域的像素
(
通常可能会使
EMCCD
寄存器饱和及使图像失真
)
,会路由至传统
CCD
输出放大器。有了这种场景内可切换增益特性,两种输出的信号因而可以重新组合,使单个摄像头能够恰当地
在
暗
视场中呈现
明亮
的
区域,能够提供变化
光照
条件下的动态补偿,如前照灯进入或离开微光的场景。
新的
KAE
系列器件基于
TRUESENSE 5.5
微米
IT-CCD
平台
已证明行之有效
的性能。这
IT-CCD
平台带有全局快门、优异图像均匀性、高调制传递函数
(MTF)
,用于当今
100
万像素至
2,900
万像素的宽广阵容器件。
KAE
系列将会扩充,加入额外的光学格式、分辨率及像素
大小
。
KAE-02150
现已提供样品,
具备
单色及拜耳色彩配置。
2014
年底前还将提供包含硬件及软件的评估套件,使客户能够针对他们特定应用鉴
定
这新器件的性能。
VISION Trade Fair
KAE-02150
图像传感器将于
2014
年
11
月
4
日至
6
日在德国斯图加特
2014 VISION
展览会上的安森美半导体展位
(1C82)
上展示。
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