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标题: 飞兆半导体推出200V/250V PowerTrench MOSFET [打印本页]

作者: juliguo 时间: 2007-3-13 15:13 标题: 飞兆半导体推出200V/250V PowerTrench MOSFET

飞兆半导体推出全新的FDB2614 (200V) 和 FDB2710 (250V) N沟道MOSFET，这两款产品经专门设计，可为等离子体显示板 (PDP) 应用提供业界领先的系统效率和优化的占位空间。

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