式中:K 为阻抗比,定义为K = Z2 Z1.为设计方便,取θ1 = θ2 = θ,则式(1)简化为:
其谐振条件为:Yin = 0,得其基频振荡条件为K = Z2 Z1 = tan 2θ。由此公式可知,阶跃阻抗谐振器的谐振条件取决于电长度θ 和阻抗比率K.
1.2 三阶交叉耦合结构原理
相邻谐振器间的耦合用M12 和M23 表示,交叉耦合用M13 表示。外部品质因数Qe1 和Qe3 各表示输入和输出耦合。图2所示的耦合滤波器等效电路可以被转换为一个低通原型滤波器形式,如图3所示。
其中每个矩形框代表一个频率不变的J 导纳变换器。在一个对称的二端口电路中,J12 = J23 = 1,g0 = g4 = 1,g1 = g3,B1 = B3. 2 滤波器设计实例
式中:f0 为谐振频率;f3 dB 为单端激励时谐振器的输入或输出3 dB带宽。
图5 为该滤波器的仿真结果。从仿真结果可以看到在3.95~13.27 GHz的阻带内,其抑制在-20 dB以下。
其在高端产生了2个传输零点TZ1和TZ2,其频率分别为3.99 GHz 和4.55 GHz,其衰减分别为-53.83 dB和-61.25 dB.从图5中可以看到寄生通带的中心频率为13.98 GHz,使其谐波抑制达到3.92倍频,可以看到其宽阻带抑制的特性。
由表2可知,本文所提的小型化宽阻带滤波器的各项性能大大优于已有文献结果。文献[7]是基于接地开口环的微带滤波器。
是微带发夹型SIR 滤波器,与它们相比,本文提出的滤波器的面积最大减小了63.5%,由此可见,此滤波器具有小型化宽阻带的特性。
从仿真与实测对比可以看出,仿真与实测稳合较好,具有较好的一致性。只是中心频率稍微有点偏移,且带宽稍微变宽了一点,造成这样误差的主要原因可能是由于制作工艺上的偏差,由于此结构中最小的间距是0.1 mm,通常要求的最小间距是0.2 mm;还有板材的不均匀性、不一致性,以及各种损耗,包括SMA接头损耗、介质基板铜箔的导体损耗、介质损耗和辐射损耗等,这些因素都会对实测结果造成相应的影响。
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