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标题: DDR4或将引领新一轮存储变革 [打印本页]

作者: 520503 时间: 2015-2-4 22:15 标题: DDR4或将引领新一轮存储变革

台湾的DRAM产业曾经是台湾科技界指标性产业，但近几年DRAM的供需市场产生很大的变化。
　　2013年美光(Micron Technology Group)并购日本内存大厂尔必达(Elpida)后，全球DRAM生产几乎由前三大公司：三星(Samsung)、海力士(SK Hynix)以及美光所霸占，侥幸存活的少数厂商只能转而帮其他大厂代工，或是改为生产具有市场利基的产品。如今行动装置与物联网重新带动DRAM市场需求，朝向更小、更省电的方向迈进，若能掌握这股新趋势，未来台湾厂商在内存产业还是大有可为。

标准DDR4模块展示

　　动态随机存取内存(Dynamic Random-Access Memory，DRAM)是常见的内存组件。在处理器相关运作中，DRAM经常被用来当作数据与程序的主要暂存空间。相对于硬盘或是闪存(Flash Memory)，DRAM具有访问速度快、体积小、密度高等综合优点，因此广泛的使用在各式各样现代的科技产品中，例如计算机、手机、游戏机、影音播放器等等。

　　自1970年英特尔(Intel)发表最早的商用DRAM芯片－Intel 1103开始，随着半导体技术的进步与科技产品的演进，DRAM标准也从异步的DIP、EDO DRAM、同步的SDRM(Synchronous DRAM)、进展到上下缘皆可触发的DDR DRAM(Double-Data Rate DRAM)。

　　每一代新的标准，目的不外乎是针对前一代做以下的改进：单位面积可容纳更多的内存、数据传输的速度更快、以及更少的耗电量。更小、更快、更省电，是半导体产业永不停息的追求目标，当然DRAM也不例外。

　　固态技术协会(JEDEC)于2012年9月正式公布最新的DDR DRAM标准，DDR4(第四代DDR DRAM)。距上一代DDR DRAM，也就是DDR3的发表，已有5年之久。

　　对于产品日新月异，瞬息万变的科技业而言，5年是非常久的时间。2007年6月第一代iPhone问世，同年DRAM产业宣布DDR3时代来临；到了2012年，iPhone都已经推进到iPhone5了，DRAM才正式进入DDR4，相比之下DRAM的进步不得不说相当缓慢。

　　随着行动装置的盛行，个人计算机市场逐渐式微，加上缺乏可以刺激消费者积极更新设备的应用程序，这些因素都降低了大众对新一代DRAM标准的渴望。

　　即使新标准看起来有更多优点，但无法激起消费者的购买欲望，就没有市场，新一代DRAM的需求若不显著，DRAM厂对于投入资金研发新技术的意愿就显得意兴阑珊，新标准的制定也就不那么急迫了。

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