简介
集成电路(IC)的静电放电(ESD)强固性可藉多种测试来区分。最普遍的测试类型是人体模型(HBM)和充电器件模型(CDM)。这两种ESD测试类型旨在揭示包含基本ESD控制的制造环境下，电路在ESD应力下的存续情况如何。HBM是应用最久的ESD测试，但工厂ESD控制专家普遍认为，在现代高度自动化的组装运营中，CDM是更重要的ESD测试。CDM应力的大小会随着器件的尺寸而变化。有关CDM的“传统智慧”更认为不需要测试尺寸极小的集成电路，因为峰值电流快 小尺寸集成电路CDM测试
IC CDM Test for Small Devices Robert Ashton 安森美半导体，Marty Johnson 国家仪器，Scott Ward 德州仪器 速变小直至消失。我们在此前的文章中曾指出，极小器件的峰值电流并不像通常认为的那样快速变小直至消失。高速示波器测量显示，即使脉冲宽度变得很窄，极小器件的峰值电流仍令人吃惊地保持高电平。过去，由于这些大峰值电流被忽略，因为使用了场致CDM测试标准所提倡的1 GHz示波器，而场致CDM测试 是最普及的CDM测试形式。 测试小器件时面临的问题
观测到极小集成电路超出预料的峰值电流，对负责测试极小器件(尺寸仅为较小的个位数毫米等级)的ESD测试工程师而言可不是什么好消息。图1显示了置于场致CDM测试装置上的8球栅(ball)芯片级封装。必须接触每个被测引脚的探针(的尺寸)占到整个集成电路尺寸的不小比例。显而易见，移动被测器件并不需要太多的探针接触;只是要求反复调整器件的位置。
在场致CDM测试期间，按惯例要使用真空来固持(hold)被测器件(DUT)的位置。真空通常不能非常安全地固持极小的器件。此外，真空孔(的截面积)占到被测器件尺寸的不小比例，可能会影响器件应力。当真空孔尺寸超过被测器件面积的18%时，应力的大小就开始下降。图2比较了置于真空孔与不置于真空孔上 的器件在峰值电流或完整电荷(total charge)条件下测量得到的应力大小。
在CDM测试期间使用真空来固持器件，由此带来两个问题。首先，它不起作用，即便起作用，也会开始影响测试结果。业界已经尝试使用两种方法来改善小器件的可测试性——将小封装贴在某类夹具(holder)上，或以支撑结构或模板来固持器件的位置。 使用夹具固持小器件
