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标题: STM32片上Flash内存映射、页面大小、寄存器映射（2） [打印本页]

作者: yuyang911220 时间: 2015-3-29 12:43 标题: STM32片上Flash内存映射、页面大小、寄存器映射（2）

图3 Memory map中的SRAM和Flash

二、块大小
对于系统而言，Flash分为片上Flash(Embedded Flash)和外置Flash。通常说，Flash先分块再分页，擦除是按块进行，这样的说法应该只是对外置Flash而言，对于片上Flash即可以按页擦除也可以整块擦除，英文原文如下[2]：

The Flash memory erase operation can be performed at page level or on the whole Flash area (mass-erase). The mass-erase does not affect the information blocks.

三、页面大小
按1.2的方法下得该MCU的参考手册，STM32F103RBT6对应的参考手册为RM0008 Reference manual，定位到Embedded Flash memory章节(也可以通过搜索0x0800 0000来定位)。STM32有4种Flash module organization，分别是：low-density devices(32KB，1KB/page)、medium-density devices(128KB，1KB/page)、high-density devices(512KB，2KB/page)、connectivity line devices(256KB，2KB/page)、XL-density(devices(1M，2KB/page)。从上面分析可知，STM32F103RBT6的Flash是128KB，可见是medium-density devices，如下图所示：

图4 Flash module organization (medium-density devices)

四、Flash相关寄存器
Flash寄存器在内存的映射如下[1]：

图5 Memory map中的Flash Interface

Flash各寄存器具体地址如下[2]：

图6 Flash memory interface registers of medium-density devices

具体到各寄存器功能，位含义，得参考[3]，Flash寄存器映射如下：

图7 Flash register map

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