标题:
安森美半导体和Transphorm推出600 V GaN 晶体管用于紧凑型电源及适配器
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作者:
ebacomms
时间:
2015-3-30 16:32
标题:
安森美半导体和Transphorm推出600 V GaN 晶体管用于紧凑型电源及适配器
电力电子应用会议
(APEC) -
407
展台
-
北卡罗纳州
– 2015
年
3
月
17
日
-
推动高能效创新的安森美半导体
(ON Semiconductor
,美国纳斯达克上市代号:
ONNN
)
,和功率转换器专家
Transphorm
,先前宣布
双方
建立了合作关系,把基于氮化镓
(GaN)
的电源方案推出市场,今天美国时间宣布推出联名的
NTP8G202N
(TPH3202PS)
和
NTP8G206N
(TPH3206PS) 600 V
GaN
共源共栅(
cascade
)
晶体管和使用这些器件的
240 W
参考设计。
安森美半导体电源分立分部副总裁兼总经理
Paul Leonard
说:“
GaN
晶体管为开关电源和其它在能效及功率密度至关重要的应用带来了性能飞跃。随着更多工程师熟悉氮化镓器件的优势,基于
GaN
的产品需求将快速增长。安森美半导体和
Transphorm
正工作于新的发展前沿,并加速市场的广泛采纳。”
两款新品
NTP8G202N (TPH3202PS)
和
NTP8G206N (TPH3206PS)
,导通阻抗典型值为
150 mΩ
和
290 mΩ
,采用优化的
TO-220
封装,易于根据客户现有的制板能力而集成。两款
600 V
产品均已使用
JEDEC
标准认证并在量产。
NCP1397GANGEVB
(TDPS250E2D2)
评估板为客户提供完整的参考设计,以实现和评估他们的电源设计中的
GaN
共源共栅晶体管。该评估板为客户提供比使用传统器件的电源更小的占位面积和更高的能效。升压段提供
98%
的能效并采用
NCP1654
功率因数校正控制器。
LLC DC-DC
段使用
NCP1397
谐振模式控制器提供
97%
的满载能效。这性能在以
200+
千赫兹(
kHz
)
运行时实现,而且显然也能满足
EN55022
的
B
类电磁兼容(
EMC
)
性能。完整的文档请从安森美半导体网站获取。
莅临安森美半导体在
2015 APEC
的
407
展台
(Transphorm – 1317
展台
)
观看关于
GaN
器件以及新的电流模式
LLC
电源和汽车电机驱动器的演示。
欢迎光临 电子技术论坛_中国专业的电子工程师学习交流社区-中电网技术论坛 (http://bbs.eccn.com/)
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