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标题: 基于WISHBONE总线的FLASH闪存接口设计（2） [打印本页]

作者: yuyang911220 时间: 2015-4-22 21:55 标题: 基于WISHBONE总线的FLASH闪存接口设计（2）

FLASH写接口设计
因为FLASH写命令需要多个时钟周期时间，其中采用Unlock Bypass模式时为2个时钟周期，采用正常写模式需要4个时钟周期，并且在对FLASH写和擦写时更是需要等待几十微秒到几秒钟的时间，因此对接口SLAVE必须引入写或擦写完成状态信号来控制总线数据的传输。为简化设计采用RY/BY引脚来判断。输出端口原理图与图3类似，只需对部分端口进行修改即可。

为了能够对块保护的程序代码进行升级，特别设计了一个12V电源电路来实现暂时块写保护解除功能，如图4所示。利用Am29LV160D芯片提供的暂时块写保护解除模式——即通过对RESET＃引脚加VID电压。在该模式下先前被保护的块可以通过块地址选中来进行编程和擦除。并且一旦VID移除所有先前保护的块恢复到保护状态。

图4中RV控制信号处采用了R=5kΩ，C=100pF，以便使得VID电压上升时间与下降时间≥500ns，从而满足相应的时序要求。肖特基二极管的引入保证了系统RESET信号被钳制在Vcc＋0.3V以内。总体上来说，该电源隔离电路的引入对整个系统的成本影响很小，而使系统可以在线编程被保护的FLASH存储块。

在进行FLASH编程时部分要用到命令总线时序定义，如表1所示。

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