标题:
STM32F系列单片机内部FLASH编程
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作者:
yuyang911220
时间:
2015-4-22 22:01
标题:
STM32F系列单片机内部FLASH编程
STM32F系列单片机内部含有较大容量的FLASH存储器,但没有EEPROM存储器,有时候对于参数的保存不得不另外加一片EEPROM芯片。这对于现如今大部分MCU都是FLASH+EEPROM的配置而言,显的相当的不厚道,尤其是从AVR转过来的开发者们,极为不方便。考虑到STM32F系列自身FLASH容量较大,且有自编程功能,所以很多时候可选择用FLASH模拟EEPROM,存储参数。STM32F系列的FLASH容量一般都足够大,笔者的所有设计中,最高也只用到其相应FLASH的60%左右,还有很多未用到的空间,用于存储参数还是相当方便的。另外,操作FLASH还能方便的实现IAP功能,这对于某些应用,是非常实用的。 STM32F系列MCU的FLASH的编程其实是非常简单的,它内部有一个FPEC模块专门用于管理FLASH操作,包括高压产生、擦除、写入等等过程,在ST官文PM0042这篇Application note里面,有详细介绍其编程流程及实现方法。顺便吐糟下,ST文档的一贯风格,介绍的不明不白,文档写的乱七八糟,这与Atmel/Freescal/Microchip等公司的文档基本不在一个水平上。吐糟的重点是:如果完全按文档,基本调试会换败。
继续:文档中有些地方没有说明白,用库的话,不用关心很多细节,但是我们这类寄存器族,就没办法去放过每一个细节了,如果你也用寄存器编程,那你有福了。
以下是我对FLASH编程的实现,流程,相然还是参考PM0042,细节说不清楚,但流程应该不致于出错,否则也不应该弄个PM0042出来误人了。主要以下几个实现:
FLASH忙状态判断与等待。
FLASH的加锁与解锁。
FLASH的页/片擦除。
FLASH的数据写入。
FLASH的数据读出。
程序用到的几个定义:
[cpp]
view plain
copy
print
?
#define FLASH_ADDR_START 0x08000000 //FLASH起始地址
#define FLASH_PAGE_SIZE 2048 //FLASH页大小
#define FLASH_PAGE_COUNT 256 //FLASH页总数
一、FLASH的忙状态判断。
按照手册介绍,我们弄不清楚到底是从BSY位判断,还是EOP位判断,PM0042里面一会是BSY位,一会是EOP位,也没有明确指出各自的条件,经反复测试与检验,BSY位才是忙检测的最佳选择,但是用EOP位也行,程序也能运行,不知道为什么。
[cpp]
view plain
copy
print
?
/*-------------------------------------------------------------------------------
Func: FLASH操作忙判断
Note: return 0/OK >0/timeout
------------------------------------------------------------------------------*/
uint8 Flash_WaitBusy(void)
{
uint16 T=1000;
do{
if(!(FLASH->SR&FLASH_SR_BSY))return 0;
}while(--T);
return 0xFF;
}
以上,加入了超时返回,虽然几乎不会发生,但还是为安全考虑。
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