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标题: 用C语言编程操作SPMC75内部Flash的方法 [打印本页]

作者: yuyang911220 时间: 2015-4-22 22:09 标题: 用C语言编程操作SPMC75内部Flash的方法

1 引言
　　支持C语言几乎是所有微控制器程序设计的一项基本要求，当然SPMC75系列单片机也不例外。μ'nSPTM 指令结构的设计就着重考虑对C语言的支持，GCC就是一种针对μ'nSPTM 操作平台的ANSI－C编译器。但是在应用中对于程序的设计，特别是C和ASM混合使用的时候有些地方是需要注意的，在C中如何嵌入ASM也是一个不可回避的问题。 2 SPMC75单片机FLASH硬件资源分析
　　SPMC75系列微控制器Flash分为两区：信息区和通用区，在同一时间只能访问其中的一区。信息区包含64个字，寻址空间为0x8000 ～ 0x803F。地址0x8000为系统选项寄存器P_System_Option。其他地址空间可由用户自定义重要信息比如：版本控制、日期、版权、项目名称等等。信息区的内容只有在仿真或烧录的状态下才能改变。
　　32k字的内嵌Flash(embedded Flash)被划分为16个页，每页2K字，每页可分为8块，这样32K的Flash就可以分成128个块。只有位于00F000 ～00F7FF区域的页在自由运行模式下可以设置为只读或可读可写，其他页均为只读。SPMC75系列微控制器的32K字的内嵌式闪存结构入下图2-1和图2-2。

图2-1信息区结构　　　　　             图2-2页和帧结构
2.1  FLASH操作
◆ FLASH相关寄存器
　　Flash有两个控制寄存器：P_Flash_RW ($704D)和P_Flash_Cmd  ($7555).。
　　P_Flash_RW ($704D)是Flash访问控制接口，用连续两次写操作进行设置，这样避免误写入。首先向该寄存器写入$5a5a，然后在16个CPU时钟周期内再向该寄存器写入设置字。
表 2-1 Flash寄存器和系统寄存器

地址	寄存器	名称
704Dh	P_Flash_RW	内嵌 Flash 的访问控制寄存器
7555h	P_Flash_Cmd	内嵌 Flash 的控制寄存器

　　P_Flash_RW ($704D)：内嵌的Flash访问控制寄存器
　　P_Flash_RW ($704D)是Flash访问控制接口，用连续两次写操作进行设置，这样避免误写入：首先向该寄存器写入$5a5a，然后在16个CPU时钟周期内再向该寄存器写入设置字。

B15	B14	B13	B12	B11	B10	B9	B8
R	R/W	R	R	R	R	R	R
1	0	1	1	1	1	1	1
保留	BK14WENB	BK13WENB	BK12WENB	BK11WENB	BK10WENB	BK9WENB	BK8WENB

B7	B6	B5	B4	B3	B2	B1	B0
R	R	R	R	R	R	R	R
1	1	1	1	1	1	1	1
BK7WENB	BK6WENB	BK5WENB	BK4WENB	BK3WENB	BK2WENB	BK1WENB	BK0WENB

　　用控制寄存器将页设置内嵌FLASH为只读或可读可写模式。

\	类型 ( 默认 )	页	块	描述
B[15]	保留
B[14]	R/W (0)	Bank 14	Frame 112~119	F000h-F7FFh 访问控制 1= 只读 0= 读 / 写
B[13:0]	保留

　　P_Flash_Cmd ($7555)：内嵌的Flash访问控制寄存器
　　用于处理Flash的指令，见表2-3

B15	B14	B13	B12	B11	B10	B9	B8
W	W	W	W	W	W	W	W
0	0	0	0	0	0	0	0
FlashCtrl

B7	B6	B5	B4	B3	B2	B1	B0
W	W	W	W	W	W	W	W
0	0	0	0	0	0	0	0
FlashCtrl

表 2-2 指令功能和操作流程

	块擦除	单字写模式	连续多字写模式
第一步	P_Flash_CMD = 0xAAAA
第二步	[ P_Flash_CMD ] = 0x5511	[ P_Flash_CMD ] = 0x5533	[ P_Flash_CMD ] = 0x5544
第三步	设置擦除地址	写数据	写数据
第四步	自动等待 20ms 后结束	自动等待 40us 后结束	自动等待 40us

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