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标题: 采用预充电电容器确保MOSFET高端启动 [打印本页]

作者: 苹果也疯狂 时间: 2015-4-23 08:56 标题: 采用预充电电容器确保MOSFET高端启动

在高端MOSFET驱动电路中，当使用一只高压电桥驱动器时，如IR2110或较新型的IR2155 ．完整的驱动电路在加上电压时就会出现不稳定的现象。电容器上，就是说，这种电容器在加上电压时会产生放电。这样主要问题出在自益，飘动的电压无法实现其驱动高端 MOSFET的主要功能。这种电路需要少量变换以便对自益电容器进行迅速充电，以允许其对上限驱动器供电。
不幸的是，这种短时期不稳定供电条件产生了不稳定的驱动行为。例如，在炎光灯镇流器中，采取的是频率扫描实现预热，而不稳定的启动现象会造成灯管中短暂的发光，这种发光削弱了热阴极启动的优势。图 154 显示的结构（高压电阻器和400mW16V 齐纳二极管组合在一起），解决了不稳定启动的问题。

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