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标题: MCU模拟eeprom基本功能（2） [打印本页]

作者: yuyang911220 时间: 2015-5-19 17:56 标题: MCU模拟eeprom基本功能（2）

1.Flash与EEPROM的区别
EEPROM：Electrically erasable programmable read-only memory，电可擦可编程只读存储器--一种掉电后数据不丢失的存储芯片。
Flash：闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备EEPROM的性能，还可以快速读取数据（NVRAM的优势），使数据不会因为断电而丢失。
EEPROM需要更多的元件及硅，为了降低系统成本，较多的MCU均使用Flash代替EEPROM存储代码及数据。

	EEPROM	FLASH
写入时间	几毫秒随机字节：5-10ms 页：字/100us(5-10ms/页)	字编程时间：20us
擦除时间	无	页/片擦除时间：20ms
写入方式	一旦启动，无需CPU干涉只需要供电	一旦启动，需要CPU干涉
读访问	串行：100us 随机字：92us 页：字节/2.25us	并行：100ns 字/几个CPU周期访问时间：35ns
写/擦除周期	10K-1000K周期	10K-100K周期

Flash写访问速度快；
外部串行EEPROM写入不会受CPU复位影响，适当的去耦电容可以保持写入的完成；
EEPROM不需要擦除，Flash擦除需要时间，Flash的软件设计需要充分考虑复位及中断情况；

2.实现EEPROM模拟

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