标题:
安森美半导体推出全系列双倍数据速率(DDR)终端稳压器
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作者:
ebacomms
时间:
2015-5-28 13:30
标题:
安森美半导体推出全系列双倍数据速率(DDR)终端稳压器
2015
年
5
月
28
日
—
推动高能效创新的安森美半导体
(ON Semiconductor
,
美国纳斯达克上市代号:
ON
)
,推出一系列新的高性能器件进一步加强了低压降
(LDO)
线性稳压器产品阵容,以支持双倍数据速率(
DDR
)
内存。
NCP51200
、
NCP51400
、
NCP51510
和
NCP51199
采用内置功率
MOSFET
,针对在电脑、数据网络、工业和
手持消费市场
等
广泛应用中的特定应用如
SDRAM
DIMM
内存、伺服器、路由器、智能手机、平板电脑平台、机顶盒、智能电视、打印机和个人电脑/笔记本电脑主机板。还提供经
AEC-Q100
认证的版本用于汽车应用如嵌入式
GPS
定位系统、信息娱乐和无线网络及蓝牙通信。
这些高性能
LDO
支持
DDR1
、
DDR2
、
DDR3
、
LPDDR3
、
DDR4
和
LPDDR4
标准,终端电压
(VTT)
低至
500
毫伏
(mV)
。当与
DDR4
和
LPDDR4
使用时,每一种
的
主动源电流和汲电流能力达
2
安培
(A)
。此外,当使用
DDR4
和
LPDDR4
时,
NCP51145
可支持高达
1.2 A
。
NCP/NCV51199
可为
DDR2
和
DDR3
分别提供
2 A
和
1.5 A
源汲电流,而
NCP51200
和
NCP51510
指定运行于
3 A
峰值电流并支持远程感测。这些高度集成的
DDR
终端
LDO
的优势还包括软启动、片上热关断和
(
对一些器件
)
欠压锁定机制。每一款器件都有高速差分放大器,对线性电压和负载电流瞬变提供超快响应。所有这些器件还都兼容
DDR1
和
DDR2
,易于升级到更新的
DDR
内存。工作温度范围指定为
-40 °C
至
+125 °C
,可扩展至
+150 °C
用于汽车版本。
安森美半导体集成电路产品副总裁
Simon Keeton
说:“
DDR
内存广泛扩展至许多非传统产品如连接和物联网
(IoT)
促使增强的数据通信。我们现为整个
DDR
市场提供全面的变革器件,适用于新设计项目,以及直接替代现有器件;但具更高性能以支持将来内存升级。
NCP51400
和
NCP51510
是很先进的集成电路
(IC)
,能支持下一代
DDR
技术,而
NCP51145
结合卓越的性能及有吸引力的价格。
此外
,我们提供通过汽车认证
(AEC-Q100)
的版本,使最新的信息娱乐和安全系统能跟上新车客户期望的数据要求。
封装和定价
扩展了的
15
个
NCP51xxx LDO
方案提供
3
种不同的封装,包括
8
只引脚的
SOIC-EP
、
8
只引脚
2x2 mm
的
DFN
和
10
只引脚
3x3 mm
的
DFN
封装。每
3,000
片批量的单价范围从
0.07
美元至
0.195
美元。
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