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标题: STM32-FSMC-NOR FLASH [打印本页]

作者: yuyang911220 时间: 2015-5-29 18:09 标题: STM32-FSMC-NOR FLASH

一、基本概念（详细内容见st网站stm32应用笔记AN2784）
1. FSMC配置
控制一个NOR闪存存储器，需要FSMC提供下述功能：
●选择合适的存储块映射NOR闪存存储器：共有4个独立的存储块可以用于与NOR闪存、SRAM和PSRAM存储器接口，每个存储块都有一个专用的片选管脚。
●使用或禁止地址/数据总线的复用功能。
●选择所用的存储器类型：NOR闪存、SRAM或PSRAM。
●定义外部存储器的数据总线宽度：8或16位。
●使用或关闭同步NOR闪存存储器的突发访问模式。
●配置等待信号的使用：开启或关闭，极性设置，时序配置。
●使用或关闭扩展模式：扩展模式用于访问那些具有不同读写操作时序的存储器。
因为NOR闪存/SRAM控制器可以支持异步和同步存储器，用户只须根据存储器的参数配置使用到的参数。
FSMC提供了一些可编程的参数，可以正确地与外部存储器接口。依存储器类型的不同，有些参数是不需要的。
当使用一个外部异步存储器时，用户必须按照存储器的数据手册给出的时序数据，计算和设置下列参数：
●ADDSET：地址建立时间
●ADDHOLD：地址保持时间
●DATAST：数据建立时间
●ACCMOD：访问模式这个参数允许 FSMC可以灵活地访问多种异步的静态存储器。共有4种扩展模式允许以不同的时序分别读写存储器。在扩展模式下，FSMC_BTR用于配置读操作，FSMC_BWR用于配置写操作。(译注：如果读时序与写时序相同，只须使用FSMC_BTR即可。)
如果使用了同步的存储器，用户必须计算和设置下述参数：
●CLKDIV：时钟分频系数
●DATLAT：数据延时
如果存储器支持的话，NOR闪存的读操作可以是同步的，而写操作仍然是异步的。
当对一个同步的NOR闪存编程时，存储器会自动地在同步与异步之间切换；因此，必须正确地设置所有的参数。

2. 时序计算
如上所述，对于异步NOR闪存存储器或类似的存储，有不同的访问协议。首先要确定对特定存储器所需要使用的操作协议，选择的依据是不同的控制信号和存储器在读或写操作中的动作。
对于异步NOR闪存存储器，需要使用模式2协议。如果要使用的存储器有NADV信号，则需要使用扩展的模式B协议。
我们将使用模式2操作M29W128FL，不使用任何扩展模式，即读和写操作的时序是一样的。这时NOR闪存控制器需要3个时序参数：ADDSET、DATAST和ADDHOLD。
需要根据NOR闪存存储器的特性和STM32F10xxx的时钟HCLK来这些计算参数。
基于图3和图4的NOR闪存存储器访问时序，可以得到下述公式：
写或读访问时序是存储器片选信号的下降沿与上升沿之间的时间，这个时间可以由FSMC时序参数的函数计算得到：
写/读访问时间 = ((ADDSET + 1) + (DATAST + 1)) × HCLK
在写操作中，DATAST用于衡量写信号的下降沿与上升沿之间的时间参数：
写使能信号从低变高的时间 = tWP = DATAST × HCLK
为了得到正确的FSMC时序配置，下列时序应予以考虑：
●最大的读/写访问时间
●不同的FSMC内部延迟
●不同的存储器内部延迟
因此得到：
((ADDSET + 1) + (DATAST + 1)) × HCLK = max (tWC, tRC)
DATAST × HCLK = tWP
DATAST必须满足：
DATAST = (tAVQV + tsu(Data_NE) + tv(A_NE))/HCLK – ADDSET – 4

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