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标题: 基于ARM920T的FLASH的读写（2） [打印本页]

作者: yuyang911220 时间: 2015-5-30 21:20 标题: 基于ARM920T的FLASH的读写（2）

3.
NOR Flash的软件设计

Flash 的命令很多，但常用到的命令就3种：识别、擦除、编程命令。以下就对3种命令作分别的简要介绍：
1）
NOR Flash的识别
29lv160_CheckId()
{

U8 tmp;

U16 manId,devId;

int i;

_RESET();

_WR(0x555,0xaa);

_WR(0x2aa,0x55);

_WR(0x555,0x90);

manId=_RD(0x0);

devId=_RD(0x1);

_RESET();

printf("Manufacture ID(0x22C4)=%4x, Device ID(0x2249)=%4x\n",manId,devId);

if(manId == 0x22C4 && devId == 0x2249)

return 1;

else

return 0;
}
NOR Flash 的识别程序由四个读写周期就可以完成，在Flash的相关命令表中可以查到相应ID识别的命令。

2）
NOR Flash的擦除
要对NOR Flash进行写操作，就一定要先进性擦除操作。NOR Flash 的擦除都是以块（sector）为单位进行的，但是每一种型号的Flash的sector的大小不同，即使在同一片的Flash内，，不同sector的大小也是不完全一样的。
void 29lv160db_EraseSector(int targetAddr)
{

printf("Sector Erase is started!\n");

_RESET();

_WR(0x555,0xaa);

_WR(0x2aa,0x55);

_WR(0x555,0x80);

_WR(0x555,0xaa);
_WR(0x2aa,0x55);
_WR(BADDR2WADDR(targetAddr),0x30);

return
_WAIT(BADDR2WADDR(targetAddr);

}

图5
Erase Operation

/**************

如上图5所示，擦除操作时还要有一个关键的操作擦除查询算法，即等待Flash擦除的过程，并返回擦除是否成功的结果。算法如右图6所示

****************/
Int
_WAIT(void)
{
unsigned int state，flashStatus，old;
old=_RD(BADDR2WADDR(0x0));
while(1)

{

flashStatus=_RD(BADDR2WADDR(0x0));

if( (old&0x40) == (flashStatus&0x40) )

break;

if( flashStatus&0x20 )

{

//printf("[DQ5=1:%x]\n",flashStatus);

old=_RD(BADDR2WADDR(0x0));

flashStatus=_RD(BADDR2WADDR(0x0));

if( (old&0x40) == (flashStatus&0x40) )

return 0;

else return 1;

}

//printf(".");

old=flashStatus;

}
//printf("!\n");

return 1;
}

图6
Toggle Bit Algorithm

以上的方法为查询数据线上的一个特定位Toggle位。此外还有2种检测方法，一种为提供额外的Busy信号，处理器通过不断查询Busy信号来得知Flash的擦除操作是否完成，一般较少应用；一种为查询Polling位。

3）
NOR Flash 的编程操作

int 29lv160db_ProgFlash(U32 realAddr,U16 data)

{

_WR(0x555,0xaa);

_WR(0x2aa,0x55);

_WR(0x555,0xa0);

_WR(BADDR2WADDR(realAddr),data);

return
_WAIT(BADDR2WADDR(realAddr);

}

对擦除过的Flash进行编程比较简单，但仍然用到以上提到的查询算法，速度比较慢，一般为20uS，最长的达到500uS 。

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