2.2 晶体管微波倍频器晶体管微波倍频器是利用其工作于饱和区或截止区来产生谐波,如 C 类放大器输出调谐到 n 倍的输入频率上。这种微波倍频器单向性、隔离性号,并有增益的特点。三极管微波倍频器一般由双极晶体管和场效应三极管构成,倍频次数一般小于 20。用双极晶体管微波倍频器产生C波段以下的输出频率非常简单,成本也较低,是频率源中常用的电路。用场效应三极管微波倍频器可产设几十GHz输出频率,同时提供较高的倍频效率和较宽的工作频带,对输入功率要求较低。
这类倍频器的工作状态易受激励偏置、温度变化等出现剧烈变化,因此使用时一般要加入恒流、温补等措施。 2.3 GaAsFET 微波倍频器
当 GaAsFET场效应管被置于饱和或截止状态时,射频漏极电流Id 被限幅引起非线性,由于 FET 工作在饱和状态时,要求更大的直流漏极电流,导致电流至射频的转换效率较低,而栅极电流尖峰的存在会损坏 FET,所以 GaAsFET 微波倍频器采用 FET 工作在截止状态的模式,即VGS = Vp 。这时 FET 直流漏极电流很小,可靠性高。