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标题: 业界首款900V SiC MOSFET,导通电阻65 mΩ [打印本页]

作者: 520503 时间: 2015-9-17 14:04 标题: 业界首款900V SiC MOSFET,导通电阻65 mΩ

市场领导者Cree（科锐公司）近期推出了首款能够突破业界SiC功率器件技术的900V MOSFET平台。该款升级版平台，基于Cree的SiC平面技术从而扩展了产品组合，能够应对市场更新的设计挑战，可用于更高直流母线电压。且领先于900V超结Si基MOSFET技术，扩大了终端系统的功率范围，在更高温度时仍能提供低导通电阻Rds（on），大大减小了热管理系统的尺寸，很好地解决了散热及显著降额的问题。与目前的Si基方案相比， 900V SiC MOSFET平台为电源转换设计者提供了更多的创新空间，方便实现尺寸更小、速度更快、温度更低、效率更高的电源设计方案。这也是新一代电力转换系统与硅成本平价的解决方案。

　　图基于900V SiC MOSFET平台的C3M0065090J

　　世强代理的C3M0065090J，是该平台的主导产品，其额定工作电压/电流分别为900V/32A；在25°C条件下，可以实现最低至65 mΩ的额定导通电阻，在更高温度（Tj=150°C）工作时，导通电阻Rds（ON）也只有90mΩ，减少了系统的冷却需求。另外，该产品不仅拥有业界标准的TO247-3/TO220-3封装，还能够提供低阻抗D2Pak-7L表面贴封装，采用了开尔文（Kelvin）连接以帮助减小栅极振荡。C3M0065090J适合用于包括可再生能源逆变器、电动汽车充电系统、三相工业电源、高电压直流/直流转换器、关模式电源在内的高频电力电子应用。
　　目前，世强已全面代理了Cree SiC相关产品，并且保证具有竞争力的价格，欢迎致电咨询订购。
　　C3M0065090J的功能与特点：
　　• 采用卓越的C3M SiC Mosfet平面技术，n沟道增强型场效应晶体管技术；
　　• 高阻断电压、高开关频率、高功率密度；
　　• 应用快速体二极管，反向恢复时间短；
　　• 额定电压/电流值为900V/32A，额定导通电阻最低至65mΩ（25°C）、90mΩ（Tj=150°C）；
　　• 标准TO247-3/TO220-3封装和低阻抗D2Pak-7L表面贴封装；
　　• 无卤素、通过无铅认证；
　　相关产品详情
　　碳化硅MOSFET
　　C3M0065090J
　　关于世强
　　世强先进成立于1993年，是包括安华高、瑞萨电子、Silicon Labs、Rogers、Melexis、英飞凌、acam、Alliance、Micrel、Littelfuse、NEMICON、EMC & RF Labs、EPSON、Cpyress、Vincotech、SMI、理光微电子、是德等在内的全球知名半导体企业及测试测量仪器公司在大中国区的重要分销商，同时也是众多电子制造和研发企业的重要供应商，产品业务除了覆盖传统的工业、通信、消费和汽车电子领域，更为新兴的物联网、车联网、可穿戴设备、智能移动终端等市场带来更多前沿技术和创新产品。
　　作为技术驱动型分销企业，世强还拥有成熟的技术支持团队和系统的服务流程，根据需求向客户提供新产品推介、快速样品、应用咨询、方案及软件设计、开发环境、售后及物流等方面的专业服务。2014年，世强年销售额2.32亿美金，在全国设有17个分公司和办事处，拥有员工近500人。

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