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标题: 基于ARM920T的FLASH的读写(4) [打印本页]

作者: yuyang911220    时间: 2015-10-20 20:05     标题: 基于ARM920T的FLASH的读写(4)

3.NAND FLASH 的软件编写和调试


NAND设备的软件调试一般分为以下几个步骤:设置相关寄存器、NAND 设备的初始化、NAND设备的识别、NAND设备的读擦写(带ECC校验 )


NAND设备的操作都是需要通过命令来完成,不同厂家的命令稍有不同,以下一Samsung公司的K9F1208U0M命令表为例介绍NAND设备的软件编写。

表2
K9F1208U0M
Command Sets




1)
根据2410寄存器定义如下的命令宏

#define NF_CMD(cmd)
{rNFCMD=cmd;}

#define NF_ADDR(addr)
{rNFADDR=addr;}

#define NF_nFCE_L()
{rNFCONF&=~(1<<11);}

#define NF_nFCE_H()
{rNFCONF|=(1<<11);}

#define NF_RSTECC()
{rNFCONF|=(1<<12);}

#define NF_RDDATA()
(rNFDATA)

#define NF_WRDATA(data) {rNFDATA=data;}
#define NF_WAITRB()
{while(!(rNFSTAT&(1<<0)));}



//wait tWB and check F_RNB pin.


2)
NAND 设备的初始化

static void NF_Init(void)
//Flash 初始化

{
rNFCONF=(1<<15)|(1<<14)|(1<<13)|(1<<12)|(1<<11)|(TACLS<<8)|(TWRPH0<<4)|(TWRPH1<<0);

//设置NAND设备的相关寄存器


// 1
1
1
1,
1
xxx,
r xxx,
r xxx


// En 512B 4step ECCR nFCE="H" tACLS
tWRPH0
tWRPH1

   

NF_Reset();

}
static void NF_Reset(void)
//Flash重置

{

int i;

  

NF_nFCE_L();


NF_CMD(0xFF);


//reset command


for(i=0;i<10;i++);


//tWB = 100ns


NF_WAITRB();

//wait 200~500us;


NF_nFCE_H();

}

3)
NAND设备的识别


//#define ID_K9F1208U0M
0xec76

static U16 NF_CheckId(void)

//Id
辨别

{

int i;


U16 id;

   

NF_nFCE_L();


NF_CMD(0x90);


NF_ADDR(0x0);

   

for(i=0;i<10;i++);
//wait tWB(100ns)

   

id=NF_RDDATA()<<8;

// Maker code(K9F1208U:0xec)


id|=NF_RDDATA();

// Devide code(K9F1208U:0x76)

   

NF_nFCE_H();


return id;

}
4)
NAND 的擦操作

static int NF_EraseBlock(U32 block)
{

U32 blockPage=(block<<5);


int i;


NF_nFCE_L();

   

NF_CMD(
[url=]0x60[/url][q1] );


// Erase one block 1st command



NF_ADDR(blockPage&0xff);



// Page number="0"


NF_ADDR((blockPage>>8)&0xff);


NF_ADDR((blockPage>>16)&0xff);



NF_CMD(
[url=]0xd0[/url][q2] );

// Erase one blcok 2nd command

   

for(i=0;i<10;i++);
//wait tWB(100ns)//??????



NF_WAITRB();

// Wait tBERS max 3ms.


NF_CMD(0x70);

// Read status command



if (NF_RDDATA()&0x1)
// Erase error


{



NF_nFCE_H();


Uart_Printf("[ERASE_ERROR:block#=%d]\n",block);


return 0;


}


else


{



NF_nFCE_H();


return 1;


}

}

5)
NAND 的读操作

static int NF_ReadPage(U32 block,U32 page,U8 *buffer)

//
读Flash

{

int i;


unsigned int blockPage;


U8 ecc0,ecc1,ecc2;


U8 *bufPt=buffer;


U8 se[16];


   

page=page&0x1f;

//32页


blockPage=(block<<5)+page;
//1Bolck包含32页


NF_RSTECC();

// Initialize ECC

   

NF_nFCE_L();


NF_CMD(0x00);

// Read command


NF_ADDR(0);


// Column = 0


NF_ADDR(blockPage&0xff);


//


NF_ADDR((blockPage>>8)&0xff);

// Block & Page num.



NF_ADDR((blockPage>>16)&0xff);

//



for(i=0;i<10;i++);
//wait tWB(100ns)

   

NF_WAITRB();

// Wait tR(max 12us)


for(i=0;i<512;i++)


{



*bufPt++=NF_RDDATA();

// Read one page

}
/************************ECC校验***************************/
   [url=]
ecc0=rNFECC0;
//
[/url]利用2410自带的硬件ECC校验


ecc1=rNFECC1;


ecc2=rNFECC2;

[q3]
for(i=0;i<16;i++)


{



se=NF_RDDATA();

// Read spare array


//
读页内冗余的16B


}


NF_nFCE_H();



if(ecc0==se[0] && ecc1==se[1] && ecc2==se[2])
//未知使用哪一种软件规范?


{
//比较数据结果是否正确


Uart_Printf("[ECC OK:%x,%x,%x]\n",se[0],se[1],se[2]);



return 1;


}


else


{


Uart_Printf("[ECC ERROR(RD):read:%x,%x,%x, reg:%x,%x,%x]\n",


se[0],se[1],se[2],ecc0,ecc1,ecc2);



return 0;


}


}




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