电子技术论坛_中国专业的电子工程师学习交流社区-中电网技术论坛

标题: IDT公司发布采用全新恒阻抗技术的低损耗、高隔离度RF开关 [打印本页]

作者: 苹果也疯狂 时间: 2015-11-4 21:47 标题: IDT公司发布采用全新恒阻抗技术的低损耗、高隔离度RF开关

IDT公司(IDT)（NASDAQ：IDTI）近日宣布扩展其RF产品组合并发布两个开关产品F2914和F2915，它们采用了业界最新的名为Kz的恒阻抗技术（constant impedance technology），具有低损耗和高隔离度。F2914和F2915是50欧姆SP4T和SP5T RF开关，插入损耗只有1.1 dB，4 GHz对应的IIP2为124 dBm，IIP3为61 dBm。

两款产品采用了IDT公司全新的Kz创新设计技术，在RF端口之间切换时可保持近乎恒定的阻抗，改进了热切换（hot switching）可靠性和系统响应时间，同时可保护下游部件免受瞬态影响。新的开关产品理想适用于基站（2G、3G和4G）、直放站、测试与ATE设备、数字预失真和点对点（point-to-point）、公共安全和线缆基础设施等领域。

IDT公司射频事业部总经理Chris Stephens介绍说：“具有高线性度的低损耗、高隔离度多端口开关产品在我们许多客户的应用中都是重要的组件。通过提供采用Kz创新设计技术实现的全新RF开关，我们为客户提供了一种实现可靠‘热切换’、并具有最小电压及阻抗偏差的组件。”

两款开关产品采用行业标准的NBG24 4mm x 4mm 24引脚QFN封装，可使客户在现有以及未来设计中都能够采用新开关。

欢迎光临电子技术论坛_中国专业的电子工程师学习交流社区-中电网技术论坛 (http://bbs.eccn.com/)