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标题: ISSCC2007带领制程技术跨越65nm障碍 [打印本页]

作者: 我是MT 时间: 2015-12-9 09:07 标题: ISSCC2007带领制程技术跨越65nm障碍

每年一次的半导体产业盛会ISSCC(International Solid-State Circuits Conference)，2007年也在众多业者发表最新研发成果的声势下，2月15日正式划下句点，而支撑起这个句点的背后，更是无数令人赞叹的焦点和研发成果。就如同过去一样，当ISSCC结束后，审视会议的各项研究发表，可以发现，在未来半导体技术的进步速度，已经快要超乎摩尔当初的预期，而发展的方向从制程的细微化、逻辑闸数量，开始朝向低功耗、多元化材料、多运算功能发展，也就是说，不仅深度呈现跳跃式的的进步，在广度的部份，更是涵盖了更为宽阔的应用和成长。
2007年的ISSCC从2月11日展开，整个活动为期5天，前后2天分别是研讨会形式的演讲，而中间的1214日三天则是各业者研发成果的发表。整个活动会场，从11日开始便围绕在低耗电、高速和高效能的气氛之中，其中，包括来自英特尔、IBM、东芝、索尼计算机娱乐等大厂的演讲，更是成为所有参观者注目的焦点。
对于65nm制程的跨越　DFM扮演相当关键的因素
在ISSCC 2007的演讲活动中，聚集了当今全球半导体产业中各领域的菁英，包括TSMC董事长张忠谋、Analog Devices技术副总裁兼技术专家Lewis W. Counts、ST董事Joel Hartmann…等等，针对其所擅长的技术部份，发表相关精辟的演讲。
TSMC董事长张忠谋认为，目前TSMC必须开始对自身进行改变，因为对于65nm制程的CMOS芯片来说，其设计成本是90nm制程时的2倍以上，此外还包括了工厂的建设成本、研究开发成本，也不断的伴随着制程的微细化而逐渐上升，所以如过还是停留在过去由客户设计IC、代工厂进行生产的简单模式，相信在未来艰鉅的市场环境中将难以生存，所以在这之中，能否完成DFM便扮演了相当关键的因素，达到从设计规划开始、包括实体的设计、制造等各方面，工厂与客户之间能够进行密切的合作，完成新产品的开发和生产。
对于这一点，ST董事Joel Hartmann也相当赞同，并且在其演说之中，验证出其重要性，Hartmann认为，目前曝光技术使用的是193nm紫外线，但是为了面对未来更细微化的制程需求，有些工厂开始导入“浸润式曝光”的技术，就表面上看来似乎是暂时解决了部分问题，但是因曝光引起的错误，仍然还是增加，这一方面就不得不与客户共同努力，此外还包括因为制程的的微细化，导致了布线的电阻增大，严重的延迟传送速度。这些种种的课题，都是必须透过采用DFM的概念来解决问题。

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