2片28F320J3A，其中一片为高16bit，另一片为低16bit，作为整体配置到MC9328MX1外围接口模块CS0空间，将 MC9328MX1的#CS接至2片28F320J3A的CE0端，CE1、CE2接地;2片28F320J3A的地址总线[A21-A1]均与 MC9328MX1的地址总线[A22-A01]相连，低16bit片的数据总线与MC9328MX1的低16bit数据总线[D15-D00]连接，高 16bit片的数据总线与MC9328MX1的高16bit数据总线[D31-D16]连接;2片28F320J3A的RP#端接VCC;2片 28F320J3A的OE端接MC9328MX1的#OE;2片28F320J3A的WE端接MC9328MX1的#EB;2片28F320J3A的 BYTE均上拉，使之工作在字模式。 3.4 SDRAM接口电路设计 与Flash存储器相比较，SDRAM虽然不具有掉电保持数据的特性，但其存取速度大大高于Flash存储器，并且具有读/写属性，SDRAM在系统中主要用作程序的运行空间、数据及堆栈区。因此，SDRAM接口电路在最小系统设计中必须高度重视。 目前常用的SDRAM为8bit/16bit数据宽度、工作电压一般为3.3V，主要生产厂商为Samsung、HYUNDAI、Winbond等，若同类器件具有相同的电气特性和封装形式可通用。但在使用SDRAM时要注意ARM芯片是否具有独立的SDRAM的刷新控制逻辑，若有可直接与SDRAM接口，若无则不能直接与SDRAM连接。 根据系统的需求，可构建16bit或32bit的SDRAM存储器系统，本系统采用2片K4S281632并联构建32bit的SDRAM存储器系统，单片K4S281632为16bit数据宽度、容量16MB，2片容量共32MB的SDRAM空间，可满足嵌入式操作系统及各种较复杂运行的运行需求，使用 2片K4S281632构建32bit的SDRAM系统电路如图7所示。
2片K4S281632，其中一片为高16bit，另一片为低16bit。2片K4S281632作为一整体配接到DRAM/SDRAM的CSD0，将 MC9328MX1的#CSD接至2片K4S281632的CS端，2片K4S281632的CLK端接MC9328MX1的SDCLK端，2片 K4S281632的CLE端接MC9328MX1的SDCKE端;2片K4S281632的RAS、CAS、WE端分别接MC9328MX1的RAS、 CAS、SDWE端，2片K4S281632的地址总线[A08-A00]接MC9328MX1的[A10-A02];2片K4S281632的地址总线 [A10-A09]接MC9328MX1的[MA11-MA10];2片K4S281632的地址总线[A11]接MC9328MX1的[A12];2片 K4S241632的BA1、BA0接MC9328MX1的地址总线[A14-A13];高16bit片的[DQ15-DQ0]接MC9328MX1的数据总线[D31-D16]、低16bit片的[DQ15-DQ0]接MC9328MX1的数据总线[D15-D0];高16bit片的UDQM、LDQM 分别接MC9328MX1的DQM3、DQM2，低16bit片的UDQM、LDQM分别接MC9328MX1的DQM1、DQM0。 3.5 串行接口电路设计 MC9328MX1提供了串行接口，使用RS-232标准接口，近距离通信系统中可直接进行端对端的连接，但由于MC9328MX1系统中LVTTL电路的逻辑电平与RS-232标准逻辑电平不相匹配，二者间要进行正常的通信必须经过信号电平转换，本系统使用MAX3221电平转换电路，以RS-232标准9芯D型接口为例，要完成最基本的串行通信功能，只需要RXD(数据接收)、TXD(数据发送)和GND(地)端即可。串行接口电路如图8所示。
3.6 JTAG接口电路设计 JTAG技术是一种嵌入式调试技术，芯片内部封装了专门的测试电路TAP(测试访问口)，通过专用的JTAG测试工具对内部节点进行测试和控制，目前大多数ARM器件支持JTAG协议，标准JTAG接口是4线;TMS(测试模式选择)、TCK(测试时钟)、TDI(测试数据串行输入)、TDO(测试数据串行输出)。JTAG接口的连接有两种标准，即14针JTAG接口与MC9328MX1连接电路。
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