电子技术论坛_中国专业的电子工程师学习交流社区-中电网技术论坛

标题: Vishay新款快恢复二极管N沟道高压MOSFET提高可靠性 [打印本页]

作者: yuchengze 时间: 2016-9-8 15:57 标题: Vishay新款快恢复二极管N沟道高压MOSFET提高可靠性

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，发布3颗新的600V EF系列快恢复二极管N沟道功率MOSFET---SiHx21N60EF、SiHx47N60EF和SiHx70N60EF。Vishay Siliconix的这三款器件具有低反向恢复电荷和导通电阻，在工业、电信、计算和可再生能源应用中可提高可靠性，并且节能。

今天推出的这些600V快恢复二极管MOSFET采用第二代超级结技术制造，充实了Vishay现有的标准E系列器件，使公司有更多的器件可用于类似移相
全桥和LLC半桥的零电压开关(ZVA)/软开关拓扑。

在这些应用里，SiHx21N60EF、SiHx47N60EF和SiHx70N60EF具有反向恢复电荷(Qrr)比标准MOSFET低十倍的优势，提高了可靠性。这些器件因此能够更快地防止电压击穿，有助于避免直通击穿和热击穿。

21A SiHx21N60EF有四种封装，47A SiHx47N60EF和70A SiHx70N60EF各有两种封装。器件分别具有176mΩ、65mΩ和38mΩ的超低导通电阻和低栅极电荷。这意味着在太阳能逆变器、服务器和通信电源、ATX/Silver box计算机开关电源、焊接设备、UPS、电池充电器和半导体生产设备中的高功率、高频开关应用里，可实现极低的导通和开关损耗。

这些器件能够承受雪崩和换流模式里的高能脉冲，保证通过100%的UIS测试。这些MOSFET符合RoHS，无卤素。

器件规格表：

产品编号	VDS (V) (最小值)	ID (A) @ 25 °C	RDS(on) (mΩ) @ 10 V (最大值)	QG (nC) @ 10 V (典型值)	封装
SiHP21N60EF	600	21	176	56	TO-220
SiHB21N60EF	600	21	176	56	TO-263
SiHA21N60EF	600	21	176	56	Thin lead TO-220F
SiHG21N60EF	600	21	176	56	TO-247AC
SiHG47N60EF	600	47	65	152	TO-247AC
SiHW47N60EF	600	47	65	152	TO-247AD
SiHG70N60EF	600	70	38	253	TO-247AC
SiHW70N60EF	600	70	38	253	TO-247AD

新的EF系列MOSFET现可提供样品，将在2015年2季度实现量产，大宗订货的供货周期为十八周到二十周。

欢迎光临电子技术论坛_中国专业的电子工程师学习交流社区-中电网技术论坛 (http://bbs.eccn.com/)