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标题: Littelfuse宣布推出低电容型瞬态抑制二极管阵列 [打印本页]

作者: yuchengze 时间: 2016-10-14 10:18 标题: Littelfuse宣布推出低电容型瞬态抑制二极管阵列

相比同类技术可将箝位电压降低15%，保护差分数据线免受因ESD、CDE、EFT和雷击感应浪涌造成的损害。中国，北京，2014年8月19日讯 - Littelfuse公司是全球电路保护领域的领先企业，日前宣布推出了低电容型SP2574NUTG瞬态抑制二极管阵列（SPA®二极管），旨在保护高速差分数据线免受因ESD（静电放电）、CDE（电缆放电）、EFT（电气快速瞬变）和雷击感应浪涌造成的损害。 SP2574NUTG来自SP2574N系列瞬态抑制二极管阵列，可在高达40A（IEC61000-4-5）和高达30kV ESD（IEC61000-4-2）的条件下保护四个通道或两个差分线对。低电容（从I/O到接地端仅为3.8pF TYP）和低箝位电压（40A条件下相比同类解决方案要低15%）使其成为保护高速数据接口的理想选择，例如笔记本电脑、开关、服务器等的1GbE应用。它还非常适合用于WAN/LAN设备、LVDS接口、集成式磁性元件和智能电视应用。
Littelfuse公司瞬态抑制二极管阵列产品系列总监Chad Marak表示：“SP2574NUTG可帮助设计工程师保护最先进的芯片集（例如以太网PHY）免受各种可引起过早失效或软故障的电气威胁的损害。它的‘直通型’设计可保障信号完整性、降低电压过冲并简化PCB设计。”
SP2574NUTG TVS瞬态抑制二极管阵列具有以下关键优势：
• 可靠的浪涌和ESD保护功能让设计工程师能够完全确信其设计将达到或超过有关GR-1089、ITU和YD/T电信标准的全部监管要求。
• 40A条件下的动态电阻极低，仅为0.13Ω，相比同类解决方案可将箝位电压降低15%。
• 凭借每个输入/输出端与地面之间低至3.8pF（TYP）的电容，该解决方案可确保1GbE等高速差分线对应用的信号完整性。
• 小型（3.0 x 2.0毫米）µDFN-10封装可节省宝贵的电路板空间，让设计师能够直接将导线布在设备下方，而无需采用可能造成阻抗不匹配的短线。
供货情况
SP2574NUTG瞬态抑制二极管阵列的起订量为3,000只，提供卷带包装。样品可向世界各地的授权Littelfuse经销商索取。

关键字：Littelfuse 瞬态抑制二极管

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