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标题: ClearNAND闪存改善系统设计（2） [打印本页]

作者: yuyang911220 时间: 2016-11-22 10:18 标题: ClearNAND闪存改善系统设计（2）

通过改善ECC算法，两款ClearNAND闪存都能够实现下一代NAND闪存所需的ECC纠错功能。这使得设计人员无需反复重新设计电路来支持制造商最新的NAND ECC要求。
　　

　　增强型ClearNAND闪存
　　图4所示为增强型ClearNAND闪存的架构。它支持1个ONFI 2.2接口和速度高达200MT/s的指令、地址和数据总线。VDDI去耦电容常见于e?MMC产品和内含控制器的其它闪存，用于对内部稳压器进行去耦。为向后兼容传统NAND闪存，VDDI连接放置在一个闲置引脚上。ClearNAND控制器支持两条内部闪存总线，其中一条用于连接偶数编号的逻辑单元(LUN)，另一条则连接奇数编号的逻辑单元。这两条独立闪存总线的速度高达200MT/s。此外，每条总线都配有各自的ECC引擎，可在两条总线上同时管理读操作或写操作。可以预见，未来的控制器还将支持面向400MT/s的ONFI 3接口规范。
　　

　　下面将讨论增强型ClearNAND提供的四项高级功能：卷寻址、电子数据映像、中断功能和内部回写(copyback)。
　　卷寻址
　　卷寻址允许一个片选或芯片启动信号(CE#)对16个ClearNAND卷进行寻址。每个 ClearNAND控制器支持在一个MCP封装内堆叠8个裸片。ClearNAND控制器为主处理器或SSD控制器存取操作提供一个缓冲区。
　　

　　如图5所示，增强型ClearNAND设计将存储容量扩大八倍，同时保持或提升了信号完整性，并减少了所需的有效芯片使能数量。这是因为对于SSD控制器，一个ClearNAND控制器仅代表一个负载，但是在一个MCP封装内最多可支持八个NAND裸片。

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